一种氧化锌基透明电极结构AlGaInP基LED芯片及其制作方法

摘要

本发明涉及半导体材料与半导体光电器件的技术领域，更具体地，涉及一种氧化锌基透明电极结构AlGaInP基LED芯片及其制作方法。一种氧化锌基透明电极结构AlGaInP基LED芯片，其中，包括n型GaAs衬底、其上的GaAs缓冲层、n‑AlAs/AlGaAs布拉格反射层、n‑AlGaInP限制层、AlGaInP多层量子阱发光层、p‑AlGaInP限制层、GaP窗口层、重掺接触层（形成于GaP窗口层之上）、氧化锌基透明电极（形成于重掺接触层之上）、p电极（形成于所述透明电极之上）和n电极（形成于n型GaAs衬底背面）。本发明采用MOCVD技术低温制备氧化锌基透明电极，具有高透过率、高电导率、高结晶质量的特征。