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一种功率半导体器件结到壳热阻测量方法及测量夹具

摘要

本发明提供一种功率半导体器件结到壳热阻测量方法及测量夹具,包括:绘制器件电学参数值结压降Vce与结温Tj的关系曲线;绘制器件壳表面与散热器间涂有液态金属时的瞬态热阻抗曲线Zth?jc(direct)(t);绘制器件壳表面与散热基板间添加金属时的瞬态热阻抗曲线Zth?jc(metal)(t);绘制瞬态热阻抗分离点曲线;确定器件结壳热阻,测量方法所用的夹具包括有基板、立柱、压力施加装置和压力均布装置。本发明提供的技术方案消除了因热电偶带来的所有测量误差,配套的测量夹具也相对比较简单,提高了测量方便性和测量结果的准确性。

著录项

  • 公开/公告号CN105806887A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-07-27

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201610258586.0

  • 发明设计人 邓二平;张朋;赵志斌;黄永章;

    申请日2016-04-22

  • 分类号G01N25/20(20060101);G01R31/26(20140101);G01R1/04(20060101);

  • 代理机构11271 北京安博达知识产权代理有限公司;

  • 代理人徐国文

  • 地址 102209 北京市昌平区未来科技城北区国网智能电网研究院院内

  • 入库时间 2023-06-19 00:11:02

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-11-02

    实质审查的生效 IPC(主分类):G01N25/20 申请日:20160422

    实质审查的生效

  • 2016-07-27

    公开

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