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改善掺硼晶体硅太阳电池光致衰减的方法

摘要

本发明公开了一种改善掺硼晶体硅太阳电池光致衰减的方法,包括步骤:加热电池片,使温度达到第一温度,保持恒温第一预设时间;对保持恒温的电池片以预设电流通电,通电持续第二预设时间;对处于通电状态的电池片进行降温处理,使温度降至第二温度以下。电池片经加热并恒温处理后,再通电,电池片内的硼原子与氧原子能结合形成B?O对,并与表面膜内的氢原子结合成H?B?O对,生成H?B?O对使B?O对失去活性。因此经本发明方法处理后,电池片内的B?O对复合体减少,从而能降低光致衰减幅度,能有效地改善掺硼晶体硅太阳电池的光致衰减现象。

著录项

  • 公开/公告号CN105789382A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-07-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201610341983.4

  • 发明设计人 何广东;金井升;蒋方丹;金浩;

    申请日2016-05-20

  • 分类号H01L31/18(20060101);

  • 代理机构11227 北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人罗满

  • 地址 314416 浙江省嘉兴市海宁市袁花镇袁溪路58号

  • 入库时间 2023-06-19 00:08:08

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-02-01

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L31/18 申请公布日:20160720 申请日:20160520

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2016-08-17

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/18 申请日:20160520

    实质审查的生效

  • 2016-07-20

    公开

    公开

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