法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-12-15
授权
授权
2016-07-06
实质审查的生效 IPC(主分类):H01J37/08 申请日:20151214
实质审查的生效
2016-06-08
公开
公开
机译: 具有分离极限磁场分离目标和磁强化射频的磁控溅射装置偏压
机译: 射频离子源(射频离子源)
机译: 可以将两种模式的磁通量分布(平衡模式/不平衡模式)从一种切换到另一种的磁控溅射装置,以及一种使用该装置由无机成膜材料形成膜的成膜方法,以及一种双模式磁控溅射装置及成膜方法,使用该装置由无机成膜材料在低温下成膜