垂直NAND元件用的掺杂多晶晶体管通道的方法

摘要

揭示一种在垂直快闪式元件中掺杂多晶通道的方法。此方法使用多个高能离子布植以在通道的不同深度处掺杂通道。在一些实施例中，此些离子布植是以偏移法线方向的角度进行，使得植入的离子通过周围ONO堆叠的至少一部分。藉由通过ONO堆叠，各离子到达的分布范围可不同于由垂直布植产生的分布范围。