使用高中性密度等离子体植入的共形掺杂

摘要

一种等离子体掺杂设备包括等离子体源，所述等离子体源产生脉冲的等离子体。压板接近等离子体源而支撑基板以供等离子体掺杂。结构吸附薄膜，所述薄膜在被解吸附时提供多个中性。偏压电源产生偏压波形，所述偏压波形具有将等离子体中的离子吸引至基板以供等离子体掺杂的负电位。辐射源照射吸附在结构上的薄膜，藉此解吸附薄膜且产生多个中性，所述多个中性在来自等离子体的离子被吸引至基板时使离子散射，藉此执行共形等离子体掺杂。