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利用薄膜沉积制备纳米柱形结构氧化铟的方法

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摘要

本发明涉及一种利用薄膜沉积制备纳米柱形结构氧化铟的方法，属于半导体材料领域，用纯度为99.99％的铟或氧化铟，制成直径1英寸、厚度0.25英寸的靶；用单晶或玻璃作为衬底，衬底超声波清洗后，在清洁溶剂中清洗20分钟，再用去离子水冲洗，最后用氮气干燥；靶和衬底放入到脉冲激光沉积设备的真空腔内；真空腔的初始压力为2×10

著录项

  • 公开/公告号CN105568221A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-05-11

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 王烨;

    申请/专利号CN201610158183.9

  • 发明设计人 王烨;

    申请日2016-03-21

  • 分类号C23C14/08;C23C14/34;C23C14/02;

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 300170 天津市河东区碧波园11楼3门4层

  • 入库时间 2023-12-18 15:12:16

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-12-04

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C14/08 申请公布日:20160511 申请日:20160321

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2018-02-09

    发明专利公报更正 卷:33 号:48-01 IPC(主分类):C23C0014080000 更正项目:申请人|地址 误:乌鲁木齐新材料科技有限公司|830011新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市乌鲁木齐经济技术开发区喀纳斯湖北路455号2栋10楼1043室 正:乌鲁木齐西科斯克新材料科技有限公司|830011新疆维吾尔自治区乌鲁木齐市乌鲁木齐经济技术开发区喀纳斯湖北路455号2栋10楼1043室 申请日:20160321

    发明专利更正

  • 2017-11-28

    专利申请权的转移 IPC(主分类):C23C14/08 登记生效日:20171108 变更前: 变更后: 申请日:20160321

    专利申请权、专利权的转移

  • 2016-06-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/08 申请日:20160321

    实质审查的生效

  • 2016-05-11

    公开

    公开

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