首页> 中国专利> 硅/碳复合物、硅合金/碳复合物及其制备方法

硅/碳复合物、硅合金/碳复合物及其制备方法

摘要

提供制备可在导电碳材料表面上形成均匀含硅薄膜或含硅合金薄膜的硅/碳复合物或硅合金/碳复合物的方法,以及在用作用于形成电储存器件负极的负极材料时可实现大容量电储存器件并显示出优异的充电-放电循环特性的硅/碳复合物或硅合金/碳复合物。制备硅/碳复合物或硅合金/碳复合物的方法,其包括步骤(a):通过使用含碳气体的化学气相沉积(CVD)而在导电碳材料表面上形成含碳薄膜;和步骤(b):通过单独地使用含硅气体或者使用含硅气体和含碳气体的化学气相沉积(CVD)而在导电碳材料上形成含硅薄膜或含硅合金薄膜。

著录项

  • 公开/公告号CN105552304A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-05-04

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201510707460.2

  • 发明设计人 A·杜蒙特;P·吉奈特;大窪清吾;

    申请日2015-10-27

  • 分类号H01M4/133;H01M4/134;H01M4/1393;H01M4/1395;H01G11/32;H01G11/86;

  • 代理机构北京市中咨律师事务所;

  • 代理人徐国栋

  • 地址 法国巴黎

  • 入库时间 2023-12-18 15:46:18

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-05-18

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01M4/133 申请公布日:20160504 申请日:20151027

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2016-05-04

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号