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非挥发性内存元件的制作方法及非挥发性内存元件

摘要

本发明有关于一种非挥发性内存元件的制作方法及非挥发性内存元件。非挥发性内存元件包括基底、第一介电层、抹除闸极(EG)、浮动闸极(FG)以及选择闸极(SG)。基底具有源极区及汲极区。第一介电层形成于基底上。抹除闸极(EG)、浮动闸极(FG)及选择闸极(SG)形成于第一介电层上。另外,非挥发性内存元件还包括耦合介电层,形成于抹除闸极(EG)、浮动闸极(FG)及选择闸极(SG)之间以及上方;以及形成于耦合介电层上的耦合闸极(CG)。

著录项

  • 公开/公告号CN105514043A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2016-04-20

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201610013524.3

  • 发明设计人 范德慈;陈志民;吕荣章;

    申请日2016-01-11

  • 分类号H01L21/8242;H01L21/768;

  • 代理机构广州三环专利代理有限公司;

  • 代理人郑裕涵

  • 地址 100176 北京市大兴区北京经济技术开发区荣华中路15号1号楼1209B(朝林大厦)

  • 入库时间 2023-12-18 15:33:29

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2016-05-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/8242 申请日:20160111

    实质审查的生效

  • 2016-04-20

    公开

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