平面设计至非平面设计的转换方法

摘要

本发明公开一种平面设计至非平面设计的转换方法，包含有以下步骤。接收至少一扩散区域图案，其包含有一第一边与一第二边，且该第一边与该第二边彼此垂直。接下来查阅一对照表，根据该扩散区域图案的该第一边得到一第一正整数，且根据该扩散区域图案的该第二边得到一第二正整数。之后形成多个鳍片图案，该多个鳍片图案的一数量与该第二正整数相同。该多个鳍片图案分别具有一第一鳍片长度，且该第一鳍片长度为该第一正整数与一预定值的积。其中该形成该多个鳍片图案的步骤进行于至少一电脑辅助设计工具。

说明书

技术领域

本发明涉及一种平面设计至非平面设计的转换方法，尤其是涉及一种平面半导体元件设计至非平面半导体元件设计的转换方法。

背景技术

当元件发展至65纳米技术世代后，使用传统平面式的金属氧化物半导体(metal-oxide-semiconductor，MOS)晶体管制作工艺已难以持续微缩，因此，现有技术提出以立体或非平面(non-planar)多栅极晶体管元件如鳍式场效晶体管(FinFieldeffecttransistor，以下简称为FinFET)元件取代平面晶体管元件的解决途径。

由于FinFET元件的立体结构增加了栅极与鳍片状的硅基体的接触面积，因此可增加栅极对于通道区域的载流子控制，从而降低小尺寸元件面临的由源极引发的能带降低(draininducedbarrierlowering，DIBL)效应以及短通道效应(shortchanneleffect)。此外，由于FinFET元件中同样长度的栅极具有更大的通道宽度，因此可获得加倍的漏极驱动电流。

虽然FinFET元件可提供上述优点，但在集成电路的发展中，FinFET元件与制作工艺仍然面对各种要求。举例来说，如何将现有的平面半导体元件设计直接转换成非平面半导体元件设计，以更降低制作工艺成本以及更增加制作工艺相容性，仍然为业界的所求。

发明内容

因此，本发明的一目的在于提供一平面设计至非平面设计的转换方法，其可迅速且精确地将现有的平面半导体元件设计直接转换成非平面半导体元件设计。

为达上述目的，本发明提供一种平面设计至非平面设计的转换方法，该转换方法包含有以下步骤：首先接收至少一扩散区域图案(diffusionregionpattern)，该扩散区域图案包含有一第一边与一第二边，且该第一边与该第二边彼此垂直。接下来，查阅一对照表，根据该扩散区域图案的该第一边得到一第一正整数，且根据该扩散区域图案的该第二边得到一第二正整数。在获得该第一正整数与该第二正整数之后，形成多个鳍片图案，该多个鳍片图案的一数量与该第二正整数相同。该多个鳍片图案分别具有一第一鳍片长度，且该第一鳍片长度为该第一正整数与一预定值的积。另外，该形成该多个鳍片图案的步骤进行于至少一电脑辅助设计(computer-aideddesign，CAD)工具。

根据本发明所提供的平面设计至非平面设计的转换方法，提供一对照表，并可根据扩散区域图案的两边边长由该对照表直接获得鳍片图案的鳍片数量与鳍片图案的第一鳍片长度，并且在获得该第一鳍片长度之后，直接于CAD工具中形成所欲取得的鳍片图案，或在进行修正之后方于CAD工具中形成鳍片图案。由此可知，本发明所提供的平面设计至非平面设计的转换方法，可将现有的平面半导体元件设计，尤其是平面半导体元件的扩散区域，有效率且精确地转换成非平面半导体元件设计，尤其是转换成非平面半导体元件设计的鳍片结构，故可降低制作工艺成本以及增加平面制作工艺至非平面制作工艺的可转换性。

附图说明

图1为一电脑系统，该电脑系统适合用作本发明实施的工作平台的示意图；

图2为本发明所提供的平面设计至非平面设计的转换方法的一流程图；

图3至图4为本发明所提供的平面设计至非平面设计的转换方法的一第一优选实施例的示意图；

图3、图5与图6为本发明所提供的平面设计至非平面设计的转换方法的一第二优选实施例的示意图；

图3、图7与图8为本发明所提供的平面设计至非平面设计的转换方法的一第三优选实施例的示意图。

符号说明

100电脑系统

110汇流排

120数据存储系统

130用户界面输入设备

140处理器

150网络界面

160用户界面输出设备

170通讯网络

200平面设计至非平面设计的转换方法

210接收至少一扩散区域图案，该扩散区域图案包含有一第一边与一第二边

220查阅一对照表，根据该扩散区域图案的该第一边获得一第一正整数，且根据该扩散区域图案的该第二边获得一第二正整数

230形成多个鳍片图案，该多个鳍片图案的一数量与该第一正整数相同，该多个鳍片图案分别具有一鳍片第一长度，且该第一鳍片长度为该第二正整数与一预定值的积

300a、300b、300c扩散区域图案

302第一边

304第二边

310、312、314子区域图案

400、410、420鳍片图案

X第一边的长度

Y第二边的长度

L₁第一鳍片长度

L₂第二鳍片长度

P₁、P₂、P₃、P₄第一正整数

S间距

Sf间距宽度

Wf鳍片宽度

Wd描绘宽度

具体实施方式

一般说来，集成电路设计的流程可简化说明如下：先有一构思，并通过一电脑辅助设计(computer-aideddesign，CAD)工具产生电路设计(此步骤通常又称为电子设计自动化(electronicdesignautomation，EDA))。完成电路设计后，即开始制造处理以及后续的封装与组装处理，而获得集成电路芯片。

请参阅图1，图1绘示一电脑系统100，电脑系统100适合用作本发明实施的工作平台。电脑系统可包含一汇流排(总线)110、一数据存储系统120、一用户界面输入设备130、一处理器140、一网络界面150、与一用户界面输出设备160等组成单元。数据存储系统120存储基本程序编写和数据构造，并可为程序和数据档案提供永久性存储。在本发明中，数据存储系统120可提供一个或所有CAD工具的功能。用户界面输入设备130与用户界面输出设备160允许使用者与电脑系统100互动，网络界面150则提供界面给外部网络，并通过一通讯网络170耦合至其他电脑系统中的相应周边设备。另外，图1所示的电脑系统100本身可包括各种类型，例如个人电脑、携带式电脑、工作站、电脑终端、网络电脑或任何一种数据处理系统或用户设备，且图1所示的电脑系统100仅为一例示，熟悉该项技术的人士应知电脑系统100可包含其他配置，或更多的组成单元。

请参阅图2，图2为本发明所提供的平面设计至非平面设计的转换方法的一流程图。本发明所提供的平面设计至非平面设计的转换方法200包含以下步骤：

步骤210：接收至少一扩散区域图案，该扩散区域图案包含有一第一边与一第二边

根据本发明所提供的平面设计至非平面设计的转换方法200，首先接收一平面半导体元件设计的布局图案，例如一平面场效晶体管，尤其是指平面场效晶体管的扩散区域图案(diffusionregionpattern)(或称主动区域图案(activeregionpattern))。熟悉该项技术的人士应知，扩散区域图案包含有一第一边与一第二边，且第一边与第二边彼此垂直。由于扩散区域图案的第一边与第二边的关系将详述于后续实施例，并绘示于后续图中，在此先不予以赘述。

本发明所提供的平面设计至非平面设计的转换方法200还包含：

步骤220：查阅一对照表，根据该扩散区域图案的该第一边获得一第一正整数，且根据该扩散区域图案的该第二边获得一第二正整数

步骤230：形成多个鳍片图案，该多个鳍片图案的一数量与该第二正整数相同，该多个鳍片图案分别具有一鳍片第一长度，且该第一鳍片长度为该第一正整数与一预定值的积

首先需注意的是，上述的步骤210～步骤230可在至少一电脑辅助设计(CAD)工具中进行，也就是可利用前述的电脑系统100实施本发明所提供的平面设计至非平面设计的转换方法200。

接下来请参阅图3至图4，图3至图4为本发明所提供的平面设计至非平面设计的转换方法的一第一优选实施例的示意图。如图3所示，本优选实施例首先进行步骤210，即接收至少一扩散区域图案300a、300b和/或300c。值得注意的是，扩散区域图案300a～300c可包含不同的形状与区块。如图3所示，扩散区域图案300b为一四边形图案，尤其是一矩形图案，其包含有一第一边302与一第二边304。扩散区域图案300a与300b并非四边形图案，因此，在本优选实施例中，还进行一切割步骤，用来分割扩散区域图案300a与300c，以分别形成多个子区域图案(sub-regionpattern)310、312、和314，且子区域图案310、312、和314都为矩形图案。换句话说，当扩散区域图案并非四边形图案时，本发明还通过切割步骤将此非四边形图案切割成多个矩形图案。如图3所示，各子区域图案310、312、314彼此实体接触，故图3中子区域图案310、312、314的边界以虚线表示。更重要的是，各子区域图案310、312、314分别包含第一边302与第二边304。归纳地说，各扩散区域图案300a～300c及其子区域图案310～314中，平行X方向的定义为第一边302；而平行Y方向的定义为第二边304。或者说，在平面半导体元件设计的各扩散区域图案300a～300c及其子区域图案310～314中，垂直栅极延伸方向的定义为第一边302；而平行栅极延伸方向的定义为第二边304。是以，各扩散区域图案300a～300c及其子区域图案310～314中，任一第一边302与任一第二边304都彼此垂直。另外，各扩散区域图案300a～300c及其子区域图案310～314的第一边302包含一长度X，同理各扩散区域图案300a～300c及其子区域图案310～314的第二边304包含一长度Y。

另外需注意的是，为清楚公开本发明所提供的平面设计至非平面设计的转换方法200，以下以扩散区域图案300a说明，但熟悉该项技术的人士应可根据后续说明了解扩散区域图案300b与300c的实施态样。

请参阅图4。接下来进行步骤220：查阅一对照表，根据扩散区域图案300a的第一边302获得一第一正整数P_m，且根据扩散区域图案300a的第二边304获得一第二正整数N_n。请同时参阅下列对照表。详细地说，扩散区域图案300a由子区域图案310与312组成，而子区域图案310与312分别包含了平行X方向的第一边302与平行Y方向的第二边304。根据子区域图案310的第一边302的长度X，可由表格一获得一第一正整数P₁，而根据子区域图案310的第二边304的长度Y，可由对照表获得一第二正整数N₁。同理，根据子区域图案312的第一边302的长度X，可由表格一获得一第一正整数P₂，而根据子区域图案312的第二边304的长度Y，可由对照表获得一第二正整数N₂。

对照表

X₁X₂X₃…X_mY₁P₁,N₁P₂,N₁P₃,N₁…P_m,N₁Y₂P₁,N₂P₂,N₂P₃,N₂…P_m,N₂Y₃P₁,N₃P₂,N₃P₃,N₃P_m,N₃Y₄P₁,N₄P₂,N₄P₃,N₄P_m,N₄Y₅P₁,N₅P₂,N₅P₃,N₅P_m,N₅Y₆P₁,N₆P₂,N₆P₃,N₆P_m,N₆………………Y_nP₁,N_nP₂,N_nP₃,N_n…P_m,N_n

根据第一正整数P₁与第二正整数N₁，本优选实施例可进行步骤230：形成多个鳍片图案400。鳍片图案400的一数量与第二正整数N₂相同，而鳍片图案400分别具有一第一鳍片长度L₁，且第一鳍片长度L₁为第一正整数P1与一预定值的积。如图4所示，根据扩散区域图案300a的子区域图案310的第二边304的长度Y，可由对照表查得第二正整数N₁，在本优选实施例中，N₁为2，故在子区域图案310内形成二个鳍片图案400。同理，根据扩散区域图案300a的子区域图案312的第二边304的长度Y，可由对照表查得第二正整数N₂，在本优选实施例中，N₂为1，故在子区域图案312内形成一个鳍片图案400。

另外需注意的是，任一鳍片图案400的两侧如图4所示，分别包含一间距S，且鳍片图案400与间距S形成一描绘宽度(drawnwidth)Wd。更重要的是，描绘宽度Wd通过下述一等式定义：

Wd＝Nf*(Wf+Sf)等式

其中，Wd为该描绘宽度，Nf为鳍片图案400的数量，Wf为鳍片宽度，Sf则为间距宽度。另外，鳍片宽度Wf可以是采用侧壁影像转移(spacerimagetransfer，SIT)方法可得到的最小宽度，而间距宽度Sf则为大于最小线宽的可变值。另外，由图4可知，一子区域图案内最外侧的鳍片图案400距离子区域图案的边界的宽度，等于或大于鳍片图案400彼此之间的间距宽度Sf的一半。

鳍片图案400的第一鳍片长度L₁为第一正整数P_m与一预定值的积。预定值可为操作者定义的任一单位长度，在本优选实施例中，此一预定值可以是制作工艺格栅(manufacturegrid)，亦即绘图软件中可成像的最小宽度，但不限于此。在本优选实施例中，根据扩散区域图案300a的子区域图案310的第一边302的长度X，可由对照表查得第一正整数P₁，在本优选实施例中，P₁为2。因此，子区域图案310内的鳍片图案400的第一鳍片长度L₁为预定值的两倍。同理，根据扩散区域图案300a的子区域图案312的第一边304的长度X，可由对照表查得第二正整数P₂，在本优选实施例中，P₂为10。因此，子区域图案312内的鳍片图案400的第一鳍片长度L₁为预定值的十倍。

在不同的子区域图案310、312内形成鳍片图案400之后，本优选实施例可检视鳍片图案400的第一鳍片长度L₁与扩散区域图案300a的关系。详细地说，检视扩散区域图案300a的子区域图案310、312的第一边302的长度X与第一鳍片长度L₁的关系：当子区域图案310内的鳍片图案400的第一鳍片长度L₁等于子区域图案310的第一边302的长度X，且子区域图案312内的鳍片图案400的第一鳍片长度L₁等于子区域图案312的第一边302的长度X时，即视为完成平面设计至非平面设计的转换。并且，可在形成鳍片图案400之后直接输出鳍片图案400至一光掩模。换句话说，当扩散区域图案300a～300c的第一边302的长度X为预定值的整数倍时，可由对照表直接得到对应的第一正整数P_m，并由第一正整数P_m与预定值的积得到等于第一边302的长度X的第一鳍片长度L₁，而完成鳍片图案400的转换。

根据本第一优选实施例所提供的平面设计至非平面设计的转换方法200，根据扩散区域图案300a的两边边长由该对照表直接获得鳍片图案400的鳍片数量与鳍片图案400的第一鳍片长度L₁，并且在获得第一鳍片长度L₁之后，在CAD工具中形成鳍片图案400，并将鳍片图案400输出至一光掩模。由此可知，本发明所提供的平面设计至非平面设计的转换方法200，可将现有的平面半导体元件设计，尤其是平面半导体元件的扩散区域，迅速且正确地转换成非平面半导体元件设计。

接下来请参阅图3、图5与图6，图3、图5与图6为本发明所提供的平面设计至非平面设计的转换方法的一第二优选实施例的示意图。如图3所示，本优选实施例首先进行步骤210，即接收至少一扩散区域图案300a、300b和/或300c。如前所述，扩散区域图案300a～300c可包含不同的形状与区块，且不限于此。需注意的是，为清楚公开本发明所提供的平面设计至非平面设计的转换方法200，以下以扩散区域图案300b说明，但熟悉该项技术的人士应可根据后续说明了解扩散区域图案300a与300c的实施态样。扩散区域图案300b为一矩形，其包含有一第一边302与一第二边304。如前所述，平行X方向的定义为第一边302；而平行Y方向的定义为第二边304。或者可以说，垂直栅极延伸方向的定义为第一边302；而平行栅极延伸方向的定义为第二边304。故各扩散区域图案300b的第一边302与第二边304都彼此垂直，且第一边302包含一长度X，第二边304包含一长度Y。

请参阅图5。接下来进行步骤220，即查阅前列的对照表，根据扩散区域图案300b的第一边302获得一第一正整数P_m，且根据扩散区域图案300b的第二边304获得一第二正整数N_n。详细地说，本方法根据扩散区域图案300b的第一边302的长度X寻找对照表中相对应的第一正整数，并根据扩散区域图案300b的第二边304的长度Y寻找对照表中相对应的第二正整数。在此需注意的是，当扩散区域图案300b的第一边302的长度X无法与对照表中直接获得对应的正整数时，本优选实施例选择最接近第一边302的长度X但小于第一边302的长度的X₃，并得到X₃所对应的第一正整数P₃。另外，根据扩散区域图案300b的第二边304的长度Y可由对照表获得一第二正整数N₃。

根据第一正整数P₃与第二正整数N₃，本优选实施例可进行步骤230：形成多个鳍片图案410。鳍片图案410的一数量与第二正整数N₃相同，而鳍片图案410分别具有一第一鳍片长度L₁，且第一鳍片长度L₁为第一正整数P₃与一预定值的积。如图5所示，根据扩散区域图案300b的第二边304的长度Y，可由对照表查得第二正整数N₃，在本优选实施例中，N₃为2，故可在扩散区域图案300b内形成二个鳍片图案410。另外需注意的是，任一鳍片图案410的两侧如图5所示，分别包含一间距S，且鳍片图案410与间距S形成一描绘宽度Wd。如前所述，描绘宽度Wd通过上述的等式定义。

请继续参阅图5。鳍片图案410的第一鳍片长度L1为第一正整数P_m与一预定值的积。如前所述，预定值可为操作者定义的任一单位长度，在本优选实施例中，此一预定值可以是制作工艺格栅，但不限于此。值得注意的是，在本优选实施例中，扩散区域图案300b的第一边302的长度X无法由对照表中直接获得对应的正整数，故本优选实施例选择最接近第一边302的长度X且小于第一边302的长度X的X₃，并因此获得X₃所对应的第一正整数P₃。在本优选实施例中，第一正整数P₃为10。因此，子区域图案310内的鳍片图案410的第一鳍片长度L₁为预定值的十倍。由此可知，第一鳍片长度L₁可以如图5所示小于扩散区域图案300b的第一边302的长度X。

请继续参阅图5与图6。接下来，本优选实施例可检视鳍片图案410的第一鳍片宽度L₁与扩散区域图案300b的第一边302的长度X的关系：当鳍片图案410的第一鳍片长度L₁不同于扩散区域图案300b的第一边302的长度X时，例如在本优选实施例中，当鳍片图案410的第一鳍片长度L₁小于扩散区域图案300b的第一边302的长度X时，即进行一光学邻近修正(opticalproximitycorrection，以下简称为OPC)方法。更重要的是，OPC方法是增加第一鳍片长度L₁以获得一第二鳍片长度L₂，使得鳍片图案410的第二鳍片长度L₂等于扩散区域图案300b的第一边302的长度X。

请仍然参阅图6。在进行OPC方法之后，完成平面设计至非平面设计的转换，并且可输出鳍片图案410至一光掩模。简单地说，当扩散区域图案300a～300c的第一边302的长度并非预定值的整数倍时，可由对照表先取得较小的第一正整数P_m，并由第一正整数P_m与预定值的积得到小于第一边302的长度X的第一鳍片长度L₁，随后通过OPC方法修正第一鳍片长度L₁，而获得等于第一边302的长度X的第二鳍片长度L₂，并且完成鳍片图案410的转换与制作。

根据本第二优选实施例所提供的平面设计至非平面设计的转换方法，根据扩散区域图案300b的两边边长由该对照表直接获得鳍片图案410的鳍片数量与鳍片图案410的第一鳍片长度L₁，并且在获得第一鳍片长度L₁之后，通过OPC方法修正第一鳍片长度L₁而取得真正与扩散区域图案300b相同的第二鳍片长度L₂，随后于CAD工具中形成鳍片图案410，并将鳍片图案410输出至一光掩模。由此可知，本发明所提供的平面设计至非平面设计的转换方法200，可将现有的平面半导体元件设计，尤其是平面半导体元件的扩散区域，迅速且精确地转换成非平面半导体元件设计。

接下来请参阅图3、图7与图8，图3、图7至图8为本发明所提供的平面设计至非平面设计的转换方法的一第三优选实施例的示意图。如图3所示，本优选实施例首先进行步骤210，即接收至少一扩散区域图案300a、300b或/和300c。如前所述，扩散区域图案300a～300c可包含不同的形状与区块，且不限于此。需注意的是，为清楚公开本发明所提供的平面设计至非平面设计的转换方法200，以下以扩散区域图案300b说明，但熟悉该项技术的人士应可根据后续说明了解扩散区域图案300a与300c的实施态样。扩散区域图案300b为一矩形图案，其包含有一第一边302与一第二边304。详细地说，平行X方向的定义为第一边302；而平行Y方向的定义为第二边304。或者可以说，垂直栅极延伸方向的定义为第一边302；而平行栅极延伸方向的定义为第二边304。故各扩散区域图案300b的第一边302与第二边304都彼此垂直，且第一边302包含一长度X，第二边304包含一长度Y。

请参阅图7。接下来进行步骤220，即查阅前列的对照表，根据扩散区域图案300b的第一边302获得一第一正整数P_m，且根据扩散区域图案300b的第二边304获得一第二正整数N_n。详细地说，本方法是根据扩散区域图案300b的第一边302的长度X寻找对照表中相对应的第一正整数，并根据扩散区域图案300b的第二边304的长度Y寻找对照表中相对应的第二正整数。在此需注意的是，当扩散区域图案300b的第一边302的长度X，无法由对照表中直接获得对应的正整数时，本优选实施例选择最接近第一边302的长度X但大于第一边302的长度X的X₄，并获得X₄所对应的第一正整数P₄。另外，根据扩散区域图案300b的第二边304的长度Y可由对照表获得一第二正整数N₄。

根据第一正整数P₄与第二正整数N₄，本优选实施例可进行步骤230：形成多个鳍片图案420。鳍片图案420的一数量与第二正整数N₄相同，而鳍片图案420分别具有一第一鳍片长度L₁，且第一鳍片长度L₁为第一正整数P₄与一预定值的积。如图7所示，根据扩散区域图案300b的第二边304的长度Y，可由对照表查得第二正整数N₄，在本优选实施例中，N₄为2，故可在扩散区域图案300b内形成二个鳍片图案420。另外需注意的是，任一鳍片图案420的两侧如图7所示，分别包含一间距S，且鳍片图案420与间距S形成一描绘宽度Wd。且如前所述，描绘宽度Wd通过上述的等式定义。

请继续参阅图7。鳍片图案420的第一鳍片长度L₁为第一正整数P₄与一预定值的积。如前所述，预定值可为操作者定义的任一单位长度，在本优选实施例中，此一预定值可以是制作工艺格栅，但不限于此。值得注意的是，在本优选实施例中，由于扩散区域图案300b的第一边302的长度X无法由对照表中直接获得对应的正整数，故本优选实施例选择最接近第一边的长度X且大于第一边302的长度的X₄，并因此获得X₄所对应的第一正整数P₄。在本优选实施例中，第一正整数P₄为12。因此，子区域图案310内的鳍片图案420的第一鳍片长度L₁为预定值的十二倍。由此可知，第一鳍片长度L₁可以如图7所示大于扩散区域图案300b的第一边302的长度X。

请继续参阅图7与图8。接下来，本优选实施例检视鳍片图案420的第一鳍片宽度L₁与扩散区域图案300b的第一边302的长度X：当鳍片图案420的第一鳍片长度L₁不同于扩散区域图案300b的第一边302的长度X时，例如在本优选实施例中，为当鳍片图案420的第一鳍片长度L₁大于扩散区域图案300b的第一边302的长度X时，即进行一进行一OPC方法。更重要的是，OPC方法缩减第一鳍片长度L₁以获得一第二鳍片长度L₂，且第二鳍片长度L₂等于扩散区域图案300b的第一边302的长度X。

请仍然参阅图8。在进行OPC方法之后，完成平面设计至非平面设计的转换，并且可输出鳍片图案420至一光掩模。换句话说，当扩散区域图案300a～300c的第一边302的长度X并非预定值的整数倍时，可由对照表先取得较大的第一正整数P_m，并由第一正整数P_m与预定值的积得到大于第一边302的长度X的第一鳍片长度L₁，随后通过OPC方法修正第一鳍片长度L₁，而获得等于第一边302的长度X的第二鳍片长度L₂，随后完成鳍片图案420的转换与制作。

根据本第三优选实施例所提供的平面设计至非平面设计的转换方法，可根据扩散区域图案300b的两边边长由该对照表直接获得鳍片图案420的鳍片数量与鳍片图案420的第一鳍片长度L₁，并且在获得第一鳍片长度L₂之后，通过OPC方法修正第一鳍片长度L₁而取得真正与扩散区域相同的第二鳍片长度L₂，随后于CAD工具中形成鳍片图案420，并将鳍片图案420输出至一光掩模。由此可知，本发明所提供的平面设计至非平面设计的转换方法200，可将现有的平面半导体元件设计，尤其是平面半导体元件的扩散区域，迅速且精确地转换成非平面半导体元件设计。

综上所述，本发明所提供的平面设计至非平面设计的转换方法，提供一对照表，并可根据扩散区域图案的两边边长由该对照表直接获得鳍片图案的鳍片数量与鳍片图案的第一鳍片长度，并且在获得该第一鳍片长度之后，直接于CAD工具中形成鳍片图案，或在进行修正的后方于CAD工具中形成鳍片图案。由此可知，本发明所提供的平面设计至非平面设计的转换方法，可将现有的平面半导体元件设计，尤其是平面半导体元件的扩散区域，精确而有效率地转换成非平面半导体元件设计，尤其是转换非平面半导体元件设计的鳍片结构，故可降低制作工艺成本以及增加平面至非平面制作工艺的可转换性。

以上所述仅为本发明的优选实施例，凡依本发明权利要求所做的均等变化与修饰，都应属本发明的涵盖范围。