一种外延定向生长、转移和集成平面半导体纳米线的方法

摘要

外延定向生长、转移和集成平面半导体纳米线的方法，步骤如下：1)对晶体衬底处理，去掉表面氧化层；2)蒸镀In、Sn诱导金属膜，生长出金属膜图案，膜厚度在几个纳米到几十个纳米；3)在PECVD系统中利用等离子体处理技术，在温度200℃-500℃、功率2W-50W时进行处理，使金属膜收缩成为直径在几十纳米到几微米之间的准纳米金属催化颗粒；4)继续在PECVD系统中覆盖生长一层几纳米至几百纳米的非晶硅层作为前驱体介质层；5)非晶硅层在真空中或非氧化性气氛中退火，利用IP-SLS生长模式在非晶硅层生长获得外延硅或锗纳米线。为基于平面半导体纳米线的场效应晶体管、传感器和光电器件提供了关键技术。