首页> 中文期刊> 《微纳电子技术》 >未来半导体器件及集成电路中纳米线的制作

未来半导体器件及集成电路中纳米线的制作

         

摘要

介绍了线宽小于10nm 的多晶硅缝隙纳米线的制作技术。缝纳线技术适用于制作量子器件、光电器件和集成电路。

著录项

相似文献

  • 中文文献
  • 外文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号