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用于抗蚀剂底层膜的组合物、使用组合物的图案形成方法及包括图案的半导体集成电路装置

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提供一种用于抗蚀剂底层膜的组合物，所述组合物包括化合物与溶剂，所述化合物包含由化学式1表示的部分。在化学式1中，A1至A3、X1、X2、L1、L2、Z以及m分别定义于说明书中。

著录项

公开/公告号CN105229532A

专利类型发明专利
公开/公告日2016-01-06

原文格式PDF
申请/专利权人第一毛织株式会社;
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申请/专利号CN201380075787.1
发明设计人金民兼;权孝英;李俊昊;田桓承;
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申请日2013-11-05
分类号G03F7/004(20060101);G03F7/11(20060101);H01L21/027(20060101);G03F7/26(20060101);
代理机构11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司;
代理人李艳;臧建明
地址韩国庆尚北道龟尾市龟尾大路58番地
入库时间 2023-12-18 13:33:31

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2019-12-10

授权

授权
2016-02-03

实质审查的生效 IPC(主分类):G03F7/004 申请日:20131105

实质审查的生效
2016-01-06

公开

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1. 用于抗蚀剂底层膜的组合物、使用组合物的图案形成方法及包括图案的半导体集成电路装置 [P] . 中国专利： CN105229532A . 2016-01-06
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5. Composition for resist underlayer film, pattern forming method using the same, and semiconductor integrated circuit device including the pattern [P] . 日本专利： JP2016521863A . 2016-07-25

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