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适用于纳米线薄膜的接触掺杂和退火系统以及工艺

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摘要

本发明的各实施例用于改进的接触掺杂和退火系统以及工艺。在各实施例中，等离子体离子浸没式注入(PIII)可用于对基于纳米线和其它纳米元件的薄膜器件进行掺杂。根据本发明的其它实施例，可使用脉冲激光退火(所用激光能流相对较低，低于100mJ/cm

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-12-23

未缴年费专利权终止 IPC(主分类):B82B 1/00 授权公告日:20121226 终止日期:20141110 申请日:20051110

专利权的终止
2012-12-26

授权

授权
2008-10-29

实质审查的生效

实质审查的生效
2008-09-10

公开

公开

1. 适用于纳米线薄膜的接触掺杂和退火系统以及工艺 [P] . 中国专利： CN101263078B . 2012.12.26
2. 使用非接触印刷工艺在半导体衬底中形成掺杂区域的方法以及使用非接触印刷来形成该掺杂区域的含掺杂剂的墨水 [P] . 中国专利： CN101965628A . 2011-02-02
3. Contact doping and annealing systems and processes for nanowire thin films [P] . AU2005309906B2 . 2010-12-09

机译：纳米线薄膜的接触掺杂和退火系统及工艺
4. Contact doping and annealing systems and processes for nanowire thin films [P] . 美国专利： US7569503B2 . 2009-08-04

机译：纳米线薄膜的接触掺杂和退火系统及工艺
5. Process and annealing system and contact doping for the thin film of nanowires [P] . 日本专利： JP2008522404A . 2008-06-26

机译：纳米线薄膜的工艺和退火系统以及接触掺杂