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一种全新的低成本高效率CIGS电池吸收层制备工艺

摘要

本发明公布一种全新的低成本高效率CIGS电池吸收层制备工艺(二次二步法),为目前CIGS薄膜太阳能电池产业化困境提供一种解决方案;通过两次溅射硒化和对碱金属的控制,本工艺能精确控制铜和镓的梯度,缩短整体硒化时间,提高大面积均匀性,且设备成本较低;首先用二步法制备一层较厚的无钠富铜CIGS,无钠富铜的环境显著促进了铟和镓的扩散,快速消除铟和镓的微观不均匀性,促使镓扩散到上表面,抑制MoSe2的生成,且结晶良好,这一步对硒化条件要求低、硒化时间短,稳定性高,适合高节拍低成本产业化;然后降温溅射一层较薄的含碱金属的第二预制层(In,Ga)2Se3,再次升温硒化数分钟完成吸收层的制备;碱金属的控制在二次二步法中对转换效率、生产节拍、均匀性、稳定性中均起重要作用。

著录项

  • 公开/公告号CN105070784A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-11-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 邓杨;

    申请/专利号CN201510420780.X

  • 发明设计人 邓杨;聂平飞;严菊杰;

    申请日2015-07-17

  • 分类号H01L31/18(20060101);H01L31/032(20060101);C23C14/34(20060101);C23C14/16(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 518055 广东省深圳市南山区西丽1088号

  • 入库时间 2023-12-18 12:21:18

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-11-12

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L31/18 申请公布日:20151118 申请日:20150717

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2018-05-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/18 申请日:20150717

    实质审查的生效

  • 2015-11-18

    公开

    公开

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