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公开/公告号CN105043651A
专利类型发明专利
公开/公告日2015-11-11
原文格式PDF
申请/专利权人 林相平;
申请/专利号CN201510271585.5
发明设计人 林相平;
申请日2015-05-25
分类号G01L19/00;G01D21/02;G01D11/00;
代理机构苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人郑海
地址 266000 山东省青岛市李沧区枣园路19号1单元301
入库时间 2023-12-18 11:57:15
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-08-31
实质审查的生效 IPC(主分类):G01L19/00 申请日:20150525
实质审查的生效
2015-11-11
公开
机译: 封装的半导体加速度传感器,适用于汽车安全气囊,防抱死制动或导航系统,在传感器芯片周围具有应力阻尼元件
机译: 包括图像传感器芯片和晶体处理机的后照明图像传感器的低应力腔包装及其制造方法
机译: 适用于对机械和热机械应力敏感的半导体器件的封装,例如MEMS压力传感器
机译:适用于多层MEMS的无碎片高速激光辅助低应力切割
机译:适用于MEMS应用的厚而低应力PECVD非晶硅
机译:适用于MEMS应用的低应力氮化硅层
机译:RIT的MEMS多传感器芯片的离子敏感场效应晶体管(ISFET)。
机译:低G MEMS加速度计具有高灵敏度低非线性和基于3-DOF弱耦合谐振器的模式定位的大动态范围
机译:用于MEMS的超高压电子束蒸发低应力厚硅膜的表征
机译:用于mEms的低应力高性能软磁材料,不含添加剂的氯化物浴