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制造垂直型高功率氮化镓PIN二极管的方法

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本发明提供一种制造垂直型高功率氮化镓PIN二极管的方法，其包含以下步骤：提供半导体积层或异质基板；以及在该半导体积层或该异质基板上形成平台。与一般Si和GaAs材料相比，宽能隙具材料(三氮化合物)有较佳的电子特性，因而操作稳定性和对温度的灵敏度低；非常具有适用于高功率电子的应用。本发明开发出垂直式氮化镓高功率元件提供反向击穿电压超过600V以上、较低的导通电组5-mΩ-cm

著录项

公开/公告号CN104952728A

专利类型发明专利
公开/公告日2015-09-30

原文格式PDF
申请/专利权人郑克勇;
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申请/专利号CN201410116140.5
发明设计人黄智方;张庭辅;刘格成;曾裕誊;邱绍谚;
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申请日2014-03-26
分类号
代理机构北京三友知识产权代理有限公司;
代理人张德斌
地址中国台湾新竹市
入库时间 2023-12-18 11:09:35

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2017-11-17

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/329 申请公布日:20150930 申请日:20140326

发明专利申请公布后的视为撤回
2015-09-30

公开

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