一种反射镜结构粗化的AlGaInP反极性发光二极管结构

摘要

本发明提供一种反射镜结构粗化的AlGaInP反极性发光二极管结构，由底部至顶部的结构依次为p电极、衬底、键合层、带有粗化结构的反射镜层、绝缘层、电流扩展层、p型半导体层、有源发光区、n型半导体层、窗口层，n电极；所述带有粗化结构的反射镜层覆盖于键合层之上，呈现粗化形式，并以开孔的形式穿透绝缘层与带有粗化结构的电流扩展层直接接触。本方法可有效解决AlGaInP反极性LED光提取效率低下的问题，且易于与现有工艺相集成，在大功率LED生产中具有很大的应用潜力。