Gallium arsenides; Epitaxial growth; Gallium phosphides; Substrates; Semiconductors; High temperature; Molecular beams; Crystal structure; Silicon; Phosphorus; Vapors;
机译:Ⅲ-Ⅴ族半导体在Ge / Si上的分子束外延生长,用于金属氧化物半导体器件的制造
机译:光学二次谐波产生表征异质外延极性非极性半导体薄膜中的反相边界
机译:光学二次谐波产生表征异质外延极性非极性半导体薄膜中的反相边界
机译:先进p型量子阱器件的6.1半导体异质结构的分子束外延生长
机译:用于近红外子带间材料和器件的极性和非极性III型氮化物异质结构
机译:基于极性/非极性钙钛矿氧化物异质结构的二维电子气系统高通量设计
机译:用于新型能量转换装置的二十面体硼化物半导体的外延生长