抑制瞬态增强扩散以提高集成电路器件性能的方法

摘要

本发明提供一种抑制瞬态增强扩散以提高集成电路器件性能的方法，所述方法包括：在一半导体衬底上进行半导体器件的制备工艺，该半导体器件的制备工艺包括依次进行的关键离子注入工艺步骤和针对该关键离子注入工艺步骤进行的热处理工艺，且该热处理工艺不包括激光退火工艺；其中，在所述关键离子注入工艺步骤之后，且在所述热处理工艺步骤之前，进行激光退火工艺，以抑制瞬态增强扩散效应。本发明能够降低因关键离子注入工艺而注入的离子在器件中的扩散程度，从而在很大程度上避免了瞬态增强扩散效应，同时使得总的热预算保持合理。