基于VMM的二级缓存验证方法及装置

摘要

本发明公开了一种基于VMM的二级缓存验证方法及装置，该方法包括：分别产生N个外设测试所需的N个第一事务；其中，第一事务包括测试数据包，N为自然数；分别产生与N个第一事务相对应的N组激励信号，并将激励信号传送至二级缓存中；针对任一第一事务：每隔预设时间，从二级缓存中存储第一事务的缓存区读出所存储的第二事务；将第一事务与第二事务的相似度进行对比，获得目标相似度；当目标相似度的值大于等于预设相似度的值时，验证通过；由上可见，采用本发明的方法及装置，可对芯片的二级缓存是否支持外设进行验证。

说明书

技术领域

本发明涉及测试技术领域，特别涉及一种基于VMM的二级缓存验证方法及装置。

背景技术

随着电子技术的不断发展，人们对电子产品的要求越来越高，集成电路的规模也日益扩大，相应的，芯片所支持的外设也相应的增加；其中，芯片的二级缓存是外设与芯片内的同步动态随机存储器交互工作的桥梁，同时，也对芯片内的高速工作的中央处理器与慢速工作的外设起到协调与缓存的作用；而在现有技术中，为了确保芯片内的二级缓存能支持外设，在芯片出厂前，一般均需对芯片内的二级缓存能否支持外设进行验证；因此，在现有技术中，如何验证芯片内的二级缓存能否支持外设正在成为研究热点。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种基于VMM的二级缓存验证方法及装置，以对芯片的二级缓存能否支持外设进行验证。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种基于VMM的二级缓存验证方法，包括：

分别产生N个外设测试所需的N个第一事务；其中，所述第一事务包括测试数据包，所述N为自然数；

分别产生与所述N个第一事务相对应的N组激励信号，并将所述激励信号传送至二级缓存中；

针对任一第一事务：

每隔预设时间，从所述二级缓存中存储所述第一事务的缓存区读出所存储的第二事务；

将所述第一事务与所述第二事务的相似度进行对比，获得目标相似度；

当所述目标相似度的值大于等于所述预设相似度的值时，验证通过。

优选的，所述分别产生N个外设测试所需的N个第一事务，包括：

将预设的通用测试数据激励产生器例化为N个例化测试数据激励产生器；

约束每个例化测试数据激励产生器均产生一第一事务，所述N个例化测试数据激励产生器共产生N个外设测试所需的第一事务。

优选的，所述分别产生与所述N个第一事务相对应的N组激励信号，包括：

将预设的通用设备主控模块例化为N个例化的设备主控模块；

约束每个例化的设备主控模块均产生一组激励信号，所述N个例化的设备主控模块共产生N组激励信号；其中，所述N组激励信号与所述N个第一事务一一对应。

一种基于VMM的二级缓存验证装置，包括：

第一产生模块用于，分别产生N个外设测试所需的N个第一事务；其中，所述第一事务包括测试数据包，所述N为自然数；

第二产生模块用于，分别产生与所述N个第一事务相对应的N组激励信号；

传送模块用于，将所述激励信号传送至二级缓存中；

读取模块用于，针对任一第一事务，每隔预设时间，从所述二级缓存中存储所述第一事务的缓存区读出所存储的第二事务；

对比模块用于，将所述第一事务与所述第二事务的相似度进行对比，获得目标相似度；

验证模块用于，当所述目标相似度的值大于等于所述预设相似度的值时，验证通过。

优选的，所述第一产生模块包括：

第一例化单元用于，将预设的通用测试数据激励产生器例化为N个例化测试数据激励产生器；

第一约束单元用于，约束每个例化测试数据激励产生器均产生一第一事务，所述N个例化测试数据激励产生器共产生N个外设测试所需的第一事务。

优选的，所述第二产生模块包括：

第二例化单元用于，将预设的通用设备主控模块例化为N个例化的设备主控模块；

第二约束单元用于，约束每个例化的设备主控模块均产生一组激励信号，所述N个例化的设备主控模块共产生N组激励信号；其中，所述N组激励信号与所述N个第一事务一一对应。

由上述的技术方案可以看出，在本发明实施例中，首先分别产生N个外设测试所需的N个第一事务；其中，第一事务包括测试数据包，而N为自然数；然后分别产生与N个第一事务相对应的N组激励信号，并将激励信号传送至二级缓存中；再然后针对任一第一事务，每隔预设时间，从二级缓存中存储该第一事务的缓存区读出所存储的第二事务；最后将第一事务与第二事务的相似度进行对比，获得目标相似度，且当目标相似度的值大于预设相似度的值时，认为验证通过，即此时芯片内的二级缓存能够支持该第一事务所对应的外设，否则认为该芯片内的二级缓存不能够支持该第一事务所对应的外设。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例所提供的基于VMM的二级缓存验证方法的流程图；

图2为本发明实施例所提供的基于VMM的二级缓存验证方法的又一流程图；

图3为本发明实施例所提供的基于VMM的二级缓存验证方法的另一流程图；

图4为本发明实施例所提供的基于VMM的二级缓存验证装置的示意图；

图5为本发明实施例所提供的基于VMM的二级缓存验证装置的另一示意图；

图6为本发明实施例所提供的基于VMM的二级缓存验证装置的又一示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本发明公开了一种基于VMM（Verification Methodology Manual）的二级缓存验证方法，如图1所示，该方法至少包括以下步骤：

S11：分别产生N个外设测试所需的N个第一事务；其中，第一事务包括测试数据包，N为自然数；

具体的，上述第一事务还可包括每个外设需要操作的数据量、操作类型和操作延时等信息；

S12：分别产生与N个第一事务相对应的N组激励信号，并将激励信号传送至二级缓存中；

具体的，上述激励信号可驱动二级缓存的各个设备接口；而激励信号具体可包括控制信号和由第一事务转换而来的信号；当二级缓存接收到上述激励信号后，可根据控制信号将由第一事务转换而来的数据信号存储至二级缓存中相应的缓存区内；

S13：针对任一第一事务，每隔预设时间，从二级缓存中存储第一事务的缓存区读出所存储的第二事务；

具体的，上述第二事务具体由与之对应的第一事务的控制信息和从二级缓存中存储与之对应的第一事务的缓存区所读出的数据所组成；

S14：将第一事务与第二事务的相似度进行对比，获得目标相似度；

S15：当目标相似度的值大于等于预设相似度的值时，验证通过。

具体的，可在验证通过时，认为此芯片的二级缓存能够支持该第一事务所对应的外设，否则认为此芯片的二级缓存不能够支持该第一事务所对应的外设；

需要说明的是，在同时，验证多个外设时，只有所有外设所需的第一事务，均通过验证，才认为芯片的二级缓存能够同时支持多个外设。

由上可见，在本发明实施例中，首先分别产生N个外设测试所需的N个第一事务；其中，第一事务包括测试数据包，而N为自然数；然后分别产生与N个第一事务相对应的N组激励信号，并将激励信号传送至二级缓存中；再然后针对任一第一事务，每隔预设时间，从二级缓存中存储该第一事务的缓存区读出所存储的第二事务；最后将第一事务与第二事务的相似度进行对比，获得目标相似度，且当目标相似度的值大于预设相似度的值时，认为验证通过，即此时芯片内的二级缓存能够支持该第一事务所对应的外设，否则认为该芯片内的二级缓存不能够支持该第一事务所对应的外设。

在本发明其它实施例中，如图2所示，上述所有实施例中的步骤S11可包括：

S21：将预设的通用测试数据激励产生器例化为N个例化测试数据激励产生器；

S22：约束每个例化测试数据激励产生器均产生一第一事务；

具体的，其N个例化测试数据激励产生器可共产生N个外设测试所需的第一事务。

更具体的，本发明拆开现有技术中验证环境中模拟外设的测试数据激励产生器，使用一个通用测试数据激励产生器，通过实施化多次，即可支持多个外设的测试，从而可实现通过修改简单的通用测试数据激励产生器，即可实现对多个测试数据激励产生器的修改。

在本发明其它实施例中，如图3所述，上述所有实施例中的步骤S12可包括：

S31：将预设的通用设备主控模块例化为N个例化的设备主控模块；

S32：约束每个例化的设备主控模块均产生一组激励信号；

具体的，其N个例化的设备主控模块可共产生N组激励信号；其中，N组激励信号与N个第一事务一一对应。

由上可见，在本发明实施例中，可使用一个通用设备主控模块，通过实施化多次，即可产生多组激励信号，从而可支持多个外设的测试，进而可实现通过修改简单的通用设备主控模块，即可实现对多个主控模块的修改；由上可见，采用本发明的方法，可使得验证环境各个模块简单化、修改更简单、问题定位更快捷，维护起来更节省时间和减小了出错的概率；

本发明还公开了一种与上述方法相对应的基于VMM（VerificationMethodology Manual）的二级缓存验证装置，如图4所示，可包括：

第一产生模块41用于，分别产生N个外设测试所需的N个第一事务；其中，第一事务包括测试数据包，N为自然数；

第二产生模块42用于，分别产生与N个第一事务相对应的N组激励信号；

传送模块43用于，将激励信号传送至二级缓存中；

读取模块44用于，针对任一第一事务，每隔预设时间，从二级缓存中存储第一事务的缓存区读出所存储的第二事务；

对比模块45用于，将第一事务与第二事务的相似度进行对比，获得目标相似度；

验证模块46用于，当目标相似度的值大于等于预设相似度的值时，验证通过。

由上可见，在本发明实施例中，首先分别产生N个外设测试所需的N个第一事务；其中，第一事务包括测试数据包，而N为自然数；然后分别产生与N个第一事务相对应的N组激励信号，并将激励信号传送至二级缓存中；再然后针对任一第一事务，每隔预设时间，从二级缓存中存储该第一事务的缓存区读出所存储的第二事务；最后将第一事务与第二事务的相似度进行对比，获得目标相似度，且当目标相似度的值大于预设相似度的值时，认为验证通过，即此时芯片内的二级缓存能够支持该第一事务所对应的外设，否则认为该芯片内的二级缓存不能够支持该第一事务所对应的外设。

在本发明其它实施例中，如图5所述，上述所有实施例中的第一产生模块41可包括：

第一例化单元51用于，将预设的通用测试数据激励产生器例化为N个例化测试数据激励产生器；

第一约束单元52用于，约束每个例化测试数据激励产生器均产生一第一事务，而其N个例化测试数据激励产生器共可产生N个外设测试所需的第一事务。

在本发明其它实施例中，如图6所述，上述所有实施例中的第二产生模块42可包括：

第二例化单元61用于，将预设的通用设备主控模块例化为N个例化的设备主控模块；

第二约束单元62用于，约束每个例化的设备主控模块均产生一组激励信号，N个例化的设备主控模块共可产生N组激励信号；其中，N组激励信号与N个第一事务一一对应。

对于第一产生模块41、第二产生模块42、传送模块43、读取模块44、对比模块45及验证模块46的各细化功能可参见上述方法的记载，在此不再赘述。

需要说明的是，本发明的方法及装置所基于的验证平台为VMM(Verification Methodology Manual)验证平台；除此之外，本发明还需预先设置，不同外设访问二级缓存中的不同缓存区域，以及控制整个二级缓存的操作及检测中断。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。