用于对3-D IC晶体管的鳍形沟道区进行掺杂的覆盖ALD膜

摘要

本发明公开了用于对3-D IC晶体管的鳍形沟道区进行掺杂的覆盖ALD膜，具体涉及一种对在半导体衬底上的部分制成的3-D晶体管的鳍形沟道区进行掺杂的方法。该方法可包括在衬底上形成多层的含掺杂剂膜；形成覆盖膜，该覆盖膜包括硅碳化物材料、硅氮化物材料、硅碳氮化物材料、或它们的组合，定位该覆盖膜使得含掺杂剂膜位于衬底和覆盖膜之间；以及将掺杂剂从含掺杂剂膜驱动到鳍形沟道区内。所述膜的多个含掺杂剂层通过原子层沉积工艺形成，所述原子层沉积工艺包括：吸附含掺杂剂膜前体，使得所述前体在衬底上形成吸附受限层；以及使所吸附的含掺杂剂膜前体反应。还公开了一种用于对部分制成的3-D晶体管的鳍形沟道区进行掺杂的多站式衬底处理装置。