一种常温、低电压条件下电沉积类金刚石薄膜的方法

摘要

本发明属于类金刚石薄膜制备技术领域，特别涉及一种液相电沉积制备类金刚石薄膜的方法。本发明方法以掺杂氟的二氧化锡导电玻璃、ITO或单晶硅为阴极，碳棒为阳极，卤代羧酸溶液为电解液。在常温条件下，通过在阴阳两电极之间施加3～15V的直流电压，可以在阴极上沉积出类金刚石薄膜。该方法具有设备简单、能耗低、沉积速率快及成膜均一性好等优点，易于实现工业化生产。