公开/公告号CN104810400A
专利类型发明专利
公开/公告日2015-07-29
原文格式PDF
申请/专利权人 台湾积体电路制造股份有限公司;
申请/专利号CN201410770302.7
申请日2014-12-15
分类号H01L29/78(20060101);H01L29/08(20060101);H01L29/10(20060101);H01L21/336(20060101);
代理机构11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司;
代理人章社杲;李伟
地址 中国台湾新竹
入库时间 2023-12-18 10:16:50
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-11-16
授权
授权
2015-08-26
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/78 申请日:20141215
实质审查的生效
2015-07-29
公开
公开
机译: 晶体管的嵌入式源极或漏极区域,在小面区域下方具有向下的锥形区域
机译: 晶体管的嵌入式源极或漏极区域,在小面区域下方具有向下的锥形区域
机译: 用于存储器平面的集成动态RAM单元,具有带电荷存储区,源极区和漏极区的晶体管,其中源极区和存储区之间的电结小于漏极区和存储区之间的结