用X射线测量薄膜厚度的方法和设备

摘要

本发明涉及用于使用X射线测量薄膜层的厚度的方法和装置。根据本发明，校准曲线是通过比较由包含在具有基底层以及其上形成有由薄膜层的基底层的参考样本的基底层中的特殊元素散射的信号的强度之间的差异与薄膜层的厚度确定的，并且通过包含于具有基底层的参考样本中的与具有其上形成有薄膜层的基底层的目标样本的基底层中的特定元素散射的信号之间的强度的差异与校准曲线进行比较因而确定了目标样本的薄膜层的厚度。

说明书

技术领域

本发明涉及使用x射线测量薄膜的厚度的方法和使用所述方法的设备，并且更确切 地说涉及使用经配置以使用包含在参考样本和目标样本的基底层和/或薄膜层中的特殊 组分的x射线测量薄膜层的厚度的方法及其设备，并且更进一步尤其涉及使用x射线测 量薄纳米级薄膜厚度而无需破坏目标样本的方法以及使用所述方法的设备。

背景技术

这部分提供与本发明有关的不一定是现有技术的背景信息。

薄膜厚度常规地通过分别地使用SEM(扫描电子显微镜)、FESEM(场发射扫描电 子显微镜)、STEM(扫描透射电子显微镜)、涡电流感测方法、超声波方法和使用X射 线的高能量敏感方法或与彼此的组合。在这些方法当中，使用X射线的方法使得X射 线照射到目标对象，例如，薄膜或由金属薄膜和/或聚合物形成的薄膜以响应于从其中获 得的信号的强度使用非接触式方法测量厚度。使用X射线的薄膜厚度测量方法可以使用 单个对象作为目标或正在生产的对象作为目标。

举例来说，目标对象(例如，金属薄膜或薄膜)的厚度可以实时测量同时具有预定 厚度的目标对象正在通过辊压方法、制造目标对象的方法中的一者制造，并且可以通过 调节目标对象的厚度以恒定的平坦厚度制造良好质量的产品。

使用X射线的非接触式厚度测量装置可以使得穿透目标对象的量子X射线的量通 过检测器得到检测，或者穿透目标对象的萤光X射线的量得到检测以测量目标对象的厚 度。响应于目标对象的材料通过检测器检测的量子X射线的量或萤光X射线的量在吸 收系数、密度和厚度上是变化的，其中对照射到X射线目标的以及从X射线目标发射 的无需目标对象的量子X射线的量以及照射以穿过目标对象且从X射线目标发射的穿 过目标对象的X射线的量进行相对比较，借此可以通过检查其间的相对差异得知目标对 象的厚度。

然而，通过使用X射线当目标存在时与当目标对象不存在时发射的量子量的差异测 量目标对象的厚度的方法遭受的缺点在于需要了解当目标对象不存在时的量子的量的 差异的基本前提，使得难以施加此方法来测量单独形成于衬底或基底层上的厚度或难以 施加此方法到连续的过程。确切地说，即使敏感的X射线方法用于高能量，并且如果薄 膜厚度在若干纳米(nm)以下，那么也难以测量纳米水平的薄膜厚度。

因此，需要解决上述缺点。

发明内容

这部分提供对本发明的整体概述，并且并非是其完整范围或所有其特征的全面的公 开内容。

因此，需要可以用于若干纳米的厚度的薄膜的简单结构的薄膜厚度测量设备以及薄 膜厚度测量方法，并因此本发明的目标是精确地测量若干纳米的厚度的薄膜而无需破坏 目标样本。

此外，本发明提供用于测量薄膜厚度的方法及其设备，所述方法经配置以简单地且 容易地仅测量薄膜的厚度，方法是直接将具有形成于衬底上的薄膜层或基底层的目标对 象用作对象并且可用于单元过程以及连续处理。

然而，应该强调的是本发明不限于特定揭示内容，如上文所解释。应理解所属领域 的技术人员可以理解本文中未提到的其它技术主体。

在本发明的一个通用方面中，提供用于使用x射线测量薄膜的厚度的方法，所述方 法包括：

检测通过包含在基底层中的特殊组分散射的信号的强度，方法是将x射线照射到参 考样本的基底层；

检测通过包含在基底层中的特殊组分散射的信号的强度，方法是将x射线照射到形 成于参考样本的基底层上的薄膜层；

确定校准曲线，方法是比较相应地从基底层照射步骤和薄膜层照射步骤检测的信号 强度之间的差异与薄膜层的厚度；

检测通过包含在基底层中的特殊组分散射的信号的强度，方法是将x射线照射到形 成于目标样本的基底层上的薄膜层；以及

确定目标样本的薄膜层的厚度，方法是比较相应地在基底层照射步骤和目标样本照 射步骤中检测到的信号的强度与校准曲线之间的差异。

优选地，但是非必需的，基底层可以是玻璃衬底。

优选地，但是非必需的，薄膜层的厚度可以在10～400nm的范围内，并且可以是由 选自由银、铜、镍、锰、铬、铁和金组成的群组的金属层。

优选地，但是非必需的，特殊组分可以选自由C、H、O、Ca、Na、Si和Ag组成 的群组。

优选地，但是非必需的，特殊组分可以不存在于薄膜层中，但是可以仅存在于基底 层中。

优选地，但是非必需的，x射线可以通过便携式XRF(X射线荧光)光谱仪照射。

优选地，但是非必需的，所述方法可以进一步包括使用电子显微镜测量形成于参考 样本的基底层上的薄膜的厚度。

优选地，但是非必需的，校准曲线可以通过以下等式确定：

[等式1]

I/Io＝exp[-(μ/ρ)X]

I：相对于薄膜层的返回信号的强度

Io：相对于基底层的返回信号的强度

_μ：薄膜层的衰减系数

ρ：薄膜层的密度

X：薄膜层的厚度

优选地，但是非必需的，确定校准曲线的步骤可以包含通过比较信号的强度之间的 差异与薄膜层的厚度进行校正。

在本发明的另一通用方面中，提供用于使用x射线测量薄膜的厚度的设备，所述设 备包括：

x射线发生器，其将x射线照射到参考样本、目标样本的基底层或目标样本的薄膜 层；

检测器，其检测从参考样本或目标样本散射的信号的强度；以及

控制器，其通过比较通过包含在具有基底层并且具有由薄膜层形成的基底层的参考 样本的基底层中的特殊组分散射的信号的强度之间的差异与薄膜层的厚度确定校准曲 线，并且通过比较通过包含在具有由薄膜层形成的基底层的目标样本的基底层中的与具 有基底层的参考样本中的特殊组分散射的信号的强度的差异与校准曲线确定目标样本 的薄膜层的厚度。

根据本发明的示例性实施例用于使用x射线测量薄膜的厚度的设备和方法具有有利 的作用，在于可以精确地测量纳米级薄膜的厚度而无需破坏目标样本，通过确定目标样 本的薄膜的厚度、通过比较由包含在具有基底层以及由薄膜层形成的基底层的参考样本 的基底层中的特殊组分散射的信号的强度之间的差异与薄膜层的厚度确定校准曲线，并 且通过比较通过包含在具有由薄膜层形成的基底层的目标样本的基底层中的与具有基 底层的参考样本中的特殊组分散射的信号的强度的差异与校准曲线确定目标样本的薄 膜层的厚度。

此外，本发明可以提供用于使用x射线测量薄膜的厚度的方法和设备，所述方法和 设备经配置以使用具有形成于作为对象的衬底或基底层上的薄膜层的测试受体容易地 且简单地测量薄膜层的厚度，并且经配置以同样用于单元过程和连续过程中。

附图说明

为了说明本发明的原理，在下文中出于图示、范例和描述的目的报告了涉及其优选 实施例的一些附图，虽然它们并非意图是详尽的。附图根据本发明概念仅借助于实例而 并非借助于限制描绘了一个或多个示例性实施例。在附图中，相同的参考标号指代相同 或类似的元件。

因此，通过某些示例性实施例的以下详细描述，参考示例性附图将更容易理解多种 潜在实际的且有用的实施例，在附图中：

图1是图示根据本发明的示例性实施例的x射线散射在基底层上的状态的概念图；

图2是图示根据本发明的校准曲线的一个实例的曲线图；

图3到14是根据本发明的示例性实施例通过具有银层的样本1～12的FEM SEM拍 摄的相应地分析的照片；

图15是图示根据本发明的示例性实施例的使用x射线的样本#10的厚度测量结果的 显示屏；

图16和17是根据本发明的示例性实施例通过具有铜层的样本#13～14的FEM SEM 拍摄的相应地分析的照片；以及

图18和19是根据本发明的示例性实施例通过具有银层和铜层的样本15～16的FEM SEM拍摄的相应地分析的照片。

具体实施方式

通过参考附图的图1-19最好理解所揭示实施例及其优点，相同的标号用于各附图的 相同的且对应的部分。在参阅以下附图及其详细描述之后对于所属领域的一般技术人员 而言所揭示实施例的其它特征和优点将是显而易见的或将变得显而易见。期望的是所有 此类额外特征和优点包含在所揭示实施例的范围内，并且由附图保护。另外，所说明的 附图仅仅是示例性的且并非意图确证或暗示关于不同实施例可以实施的环境、架构或过 程的任何限制。因此，所描述的方面意图涵盖属于本发明的范围和新颖想法的所有此类 更改、修改和变化。

同时，本文中所使用术语是仅出于描述特定实施方案的目的且并非意图限制本发 明。本文中的术语“第一”、“第二”等并不指代任何顺序、数量或重要性，而实际上 用于区分一个元件与另一个元件。举例来说，在不脱离本发明的范围和精神的前提下第 二组成元件可以标示为第一组成元件，并且类似地，第一组成元件可以标示为第二组成 元件。

如本文中所使用，术语“一个”和“一”在本文中并不表示数量的限制，而是实际 上表示至少一个所述参考项的存在。如本文中所使用，单数形式“一个”、“一”以及 “所述”意图同样包含复数形式，除非上下文另外明确地指出。

将进一步理解，术语“包括”或“包含”在用于本说明书中时指定所陈述特征、区 域、整体、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但是并不排除一个或多个其它特征、区 域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或其群组的存在或添加。

另外，“示例性”仅意图意味着一个实例而并非最佳者。另外，还应理解本文中所 描绘的特征、层和/或元件是出于简单和易于理解的目的相对于彼此以特定尺寸和/或取 向说明的，并且实际尺寸和/或取向可能基本上不同于所说明的。

也就是说，为了清楚起见在附图中层、区域和/或其它元件的尺寸和相对尺寸可以放 大或缩小。相同的标号在全文中指代相同的元件并且将省略彼此重复的解释。如同可以 在本文中使用的，术语“基本上”和“近似”提供其对应的术语和/或项目之间的相关性 的行业接受的容限。

出于参考目的，薄膜厚度和薄膜的厚度可以可互换地用于本发明。

在下文中，将参考附图详细地描述根据本发明用于使用x射线测量薄膜的厚度的方 法以及使用所述方法的设备。

用于使用x射线测量薄膜的厚度的方法经配置使得x射线相应地照射到具有由薄膜 层形成的基底层的参考样本并且照射到目标样本，并且目标样本的薄膜的厚度是使用通 过包含在基底层中的特殊组分散射的信号的强度的差异测量的。

也就是说，校准曲线是首先通过使用响应于作为具有由薄膜层形成的基底层的参考 样本的对象使用的薄膜层的厚度的改变包含在基底层中的特殊组分散射的信号的强度 的差异确定的，通过校准曲线进行比较，方法是确定用作具有由薄膜层形成的基底层的 目标样本的对象的特殊组分散射的信号的强度，并且确定薄膜层的厚度。

此时，薄膜层可以是有机薄膜或无机薄膜，并且可以优选地由选自由银、铜、镍、 锰、铬、铁和金组成的群组的金属形成。

作为本发明人检查的结果，难以测量由钛或钼形成的金属层的厚度。此外，薄膜层 在10～400nm的范围内，优选地在50～300nm的范围内，并且如果薄膜层偏离所述范围， 那么由于校准曲线不是通过电子发射系数按比例成直线的，所以难以使用x射线测量厚 度。

此外，基底层是由薄膜层形成的基底，并且可以是本领域中已知的可变衬底中的一 个或由一个或多个薄膜层堆叠的层。本发明的特征在于使用由包含在基底层或存在于薄 膜层下方的其它薄膜层中的特殊组分散射的信号的强度，其中基底层优选地包含一个或 多个特殊组分。

为此目的，本发明通过包含以下项的步骤依次执行：基底层照射步骤、薄膜照射步 骤、校准曲线确定步骤、目标样本照射步骤以及薄膜层厚度确定步骤。

首先，基底层照射步骤是将x射线照射到参考样本的基底层以检测通过包含在基底 层中的特殊组分散射的信号的强度。也就是说，x射线照射到不具有薄膜层的参考样本 的基底层以检测信号的强度，并且信号的强度稍后与由薄膜层形成的参考样本的信号的 强度进行比较以确定通过薄膜层改变(减小)的信号的强度。

x射线照射到有机薄膜参考样本或有机薄膜目标样本，其中x射线可以由x射线发 生器或放射性同位素的目标材料生成。

x射线照射步骤可以包含两种方法，一个是使用x射线发生器的方法并且另一个是 使用放射性同位素的方法。

x射线发生器生成x射线，方法是允许通过光子和电子加速的颗粒碰撞x射线发生 器内部的目标材料，如同用于生成特殊x射线的步骤，并且当所生成的x射线通过装置 表面的窗口时仅发射用于目标材料的内部特殊x射线。因此，从x射线发生器内部的目 标材料或放射性同位素中生成的特殊x射线通过与有机薄膜层参考样本或有机薄膜目标 样本的碰撞而散射。

在所述过程中，由于存在于作为分析材料的有机薄膜层参考样本或有机薄膜目标样 本中的C、H和O元素，特殊x射线生成非弹性康普顿散射。举例来说，参考样本的基 底层或由玻璃衬底形成的目标样本可以在其中包含例如Ca和纳等特殊组分，并且通过 特殊组分散射的信号的强度可以通过便携式x射线荧光(XRF)光谱仪检测。

便携式XRF光谱仪常规地用于测量包含在薄膜层中的特殊组分的含量，但是本发 明特征性地使用XRF光谱仪用于使用响应于特殊组分的信号的强度测量薄膜的厚度。 因此，根据本发明特殊组分可以包含从由C、H、O、Ca、Na、Si和Ag组成的群组中 选出的任何一种材料或更多材料。然而，出于精确度考虑特殊组分优选地是一种组分， 并且特殊组分更优选地不存在于薄膜层中，而是仅存在于基底层中。

散射的x射线的信号的强度或非弹性康普顿散射线以通过有机薄膜层参考样本或有 机薄膜目标样本上的x射线入射的入射角(θ1)改变并且以从其中散射的角度(出射角 θ2)改变，借此分析性能(例如，检测极限)可以响应于有机薄膜层参考样本或有机薄 膜目标样本的装置状况通过最佳角度的确定得到增强。

散射信号的强度可以通过碰撞之后通过具有有机薄膜层参考样本或有机薄膜目标 样本的特殊x射线或康普顿非弹性散射x射线或仅荧光x射线中的康普顿散射信号生成 的瑞利弹性散射x射线的选择得到检测。对应于康普顿散射信号的x射线波长可以通过 使用固态晶体衍射，并且特殊峰值信号可以使用布置在特殊角度处的检测器通过康普顿 散射得到选择性检测。为了响应于康普顿散射通过使用峰值的区域的分析，可以安装测 角仪以检测预定范围的康普顿散射信号。

接下来，薄膜散射步骤是通过包含在基底层中的特殊组分检测散射信号的强度，方 法是将x射线照射到形成于上参考样本的基底层上的薄膜层。也就是说，虽然基底层照 射步骤已经相对于不具有薄膜层的参考样本检测信号的强度，但是薄膜层照射步骤将检 测具有薄膜层的参考样本的信号的强度，并且对两种信号的强度进行比较以确定通过薄 膜层改变(减小)的信号的强度。

图1是图示根据本发明的示例性实施例的其中x射线散射在基底层上的状态的概念 图，其中在x射线照射在由薄膜层形成的基底层上的情况中，通过薄膜层散射的信号的 强度相比于形成为不具有薄膜层的基底层是改变的。也就是说，散射的x射线的发射电 子的数目可以通过薄膜层减小，x射线的信号可以减小，或者波长可以改变，这响应于 薄膜层的厚度不同地呈现，并且这与薄膜层的厚度成比例。

因此，校准曲线确定步骤将通过比较通过基底层照射步骤和具有薄膜层的实际厚度 的薄膜层照射步骤相应地检测的信号的强度的差异确定校准曲线。也就是说，在具有基 底层的参考样本以及具有由薄膜层形成的基底层的参考样本中，校准曲线通过响应于薄 膜层的实际厚度包含于基底层中的特殊组分的改变或减小使用作为基底的信号强度的 差异得到确定。

为此目的，需要预先了解薄膜层的实际厚度，使得根据本发明的方法可以进一步包 括使用电子显微镜测量形成于参考样本的基底层上的薄膜层的厚度。

图2是图示根据本发明的校准曲线的一个实例的曲线图，其中，y轴定义在基底层 照射步骤和薄膜层照射步骤中相应地检测到的信号的强度的差异，x轴定义响应于强度 的差异通过SEM测量的薄膜层的厚度，并且其中使用由玻璃衬底上的银层形成的参考 样本作为对象，基于包含在玻璃衬底中的钙元素散射的信号的强度。

校准曲线的确定可以通过x射线质量衰减系数：(μ/p)确定，如在以下等式1中示 出。也就是说，薄膜层相对于参考样本或目标样本的基底层的信号的强度的比率与薄膜 层的密度成比例，与厚度成反比，并且薄膜层的衰减系数(μ)可以通过薄膜层的类型、 成分、厚度和x射线的入射角不同地设置。

[等式1]

I/Io＝exp[-(μ/ρ)X]

I：相对于薄膜层的返回信号的强度

Io：相对于基底层的返回信号的强度

μ：薄膜层的衰减系数

ρ：薄膜层的密度

X：薄膜层的厚度

上述等式1可以是μ/ρ＝X^-1In(I_o/I)，并且如果薄膜层是多层结构[t]，那么多层结构 的厚度可以通过I.e.X＝ρt计算。

此外，校准曲线确定步骤可以包含通过比较信号的强度与薄膜层的实际厚度之间的 差异的校正，以便提高精确度。

继续地，目标样本照射步骤可以包含在形成于目标样本的基底层上的薄膜层上照射 x射线以检测通过包含于基底层中的特殊组分散射的信号的强度。

虽然上述步骤已经使用参考样本作为对象确定校准曲线，但是目标样本照射步骤将 相对于作为分析对象的目标样本检测x射线的返回信号的强度。目标样本是未破坏的， 但是x射线直接照射在含有薄膜层的基底层上，其中目标样本的基底层和薄膜层优选地 是相同的或类似于参考样本的那些以用于与参考样本进行比较。

此外，薄膜层确定步骤通过比较相应地在基底层照射步骤和目标样本照射步骤中检 测到的信号的强度的差异确定目标样本的薄膜层的厚度。也就是说，计算相应地在基底 层照射步骤中相对于参考样本检测的以及在目标样本照射步骤中检测的信号的强度的 差异而无需破坏目标样本，随后与校准曲线进行比较以间接确定目标样本的薄膜层的厚 度。

在本发明的另一个一般方面中，提供用于使用x射线测量薄膜的厚度的设备，其中 具体而言所述设备包括x射线发生器、检测器和控制器。

x射线发生器将x射线照射到参考样本或目标样本的基底层或薄膜层。x射线发生 器包含x射线管(未图示)、高压发生器(未图示)和各种安全电路(未图示)。作为热 电子2极真空管的x射线管加速来自阴极(通常是钨丝)的热电子并且使加速热电子与 阳极碰撞以产生x射线。朝向阳极的电子流通常广泛地分散以将适当的磁场施加到维纳 尔圆柱电极，借此防止电子流发生偏离。为了生成x射线，高压发生器生成负高压并且 将所述负高压供应到x射线管。在x射线的生成期间安全电路警告x射线发生器在x射 线发生器处的高负载、高压和低压的出现。

检测器用于检测从参考样本或目标样本散射的信号的强度。检测器接收从参考样本 和目标样本反射的x射线以检测反射的x射线的强度水平。也就是说，检测器测量从样 本衬底反射的x射线的强度值。检测器可以成对安置，并且检测器的一个实例可以是PC (比例计数器)和SC(闪烁计数器)。

本发明可以进一步包含安置在从样本衬底反射的x射线的路径上的分析分离器以在 从样本衬底中反射的x射线中过滤具有特定波长的特殊x射线。此时，从样本衬底中反 射的x射线对应于当电子从高能级移动到低能级同时照射到样本衬底上时生成的x射 线。

通过薄膜层的厚度，控制器通过比较包含在相应地具有基底层和由薄膜层形成的基 底层的参考样本的基底层中的特殊组分的含量的差异确定校准曲线；并且通过校准曲 线，通过比较包含在具有由薄膜层形成的基底层的目标样本的基底层中与具有基底层的 参考样本中的特殊组分的含量的差异确定目标样本的薄膜层的厚度。

本发明可以使用x射线精确测量薄纳米级薄膜厚度而不会破坏目标样本。此外，本 发明可以提供用于使用x射线测量薄膜的厚度的方法和设备，所述方法和设备经配置以 使用具有形成于作为对象的衬底或基底层上的薄膜层的测试受体容易地且简单地测量 薄膜层的厚度，并且经配置以同样用于单元过程和连续过程中。

可以通过以下示例性实施例更好地理解本发明，所述示例性实施例仅借助于实例提 供，而并非借助于限制。

第一示例性实施例：银层厚度的测量

本发明人在玻璃衬底上制备各自具有银层的样本#1～12，根据本发明使用X射线和 FEM SEM测量银层的厚度，并且获得如表1和图3到14中示出的以下结果。图3到14 是根据本发明的示例性实施例通过具有银层的样本1～12的FEM SEM拍摄的相应地分析 的照片；

【表1】

如表1中所证明，可注意到根据本发明在通过FEM SEM的分析结果与通过X射线 的分析结果之间存在很大或接近的相似性。

图15是图示根据本发明的示例性实施例的使用x射线的样本#10的厚度测量结果的 显示屏。

第二示例性实施例：铜层厚度的测量

本发明人在玻璃衬底上制备具有铜层的样本#13和14、根据本发明使用X射线和 FEM SEM测量铜层的厚度，并且获得如表2以及图16和17中示出的以下结果。

图16和17是根据本发明的示例性实施例通过具有铜层的样本#13～14的FEM SEM 拍摄的相应地分析的照片。

【表2】

样本编号项 13 14 通过FEM SEM的分析结果[nm] 44 70 通过X射线的分析结果[nm] 43 69

如表2中所证明，可注意到根据本发明在通过FEM SEM的分析结果与通过X射线 的分析结果之间存在很大或接近的相似性。

第三示例性实施例：银层厚度和铜层厚度的测量

本发明人在玻璃衬底上制备具有铜层和银层的样本#15和16、根据本发明使用X射 线和STEM(扫描透射电子显微镜)方法测量铜层的厚度。

①透射检测器(STEM)安装在STEM上以分析以薄膜层(薄片)形状制造的样本， 其中分析数据形状与上述FE SEM方法的相同，但是样本的预处理方法是不同的。

②在制备样本时，FIB(聚焦离子束)方法用于FEM SEM的情况，并且FIB经调 节以分析样本的截面的形成，并且薄片形状的样本制造为其制造方法与透射电子显微镜 的制造方法相同。

③样本是水平地固定在电子显微镜上的薄片形状的，并且用电子束进行照射以获 得影像，其中涂覆的薄膜的厚度是使用精确校准的软件标尺测量的。其结果在以下表3 以及图18和19中示出。

图18和19是根据本发明的示例性实施例通过具有银层和铜层的样本#15～16的FEM  SEM拍摄的相应地分析的照片。

【表3】

如表3中所证明，可注意到根据本发明在通过FEM SEM的分析结果与通过X射线 的分析结果之间存在很大或接近的相似性。

第四示例性实施例：金属层的厚度的测量

本发明人在玻璃衬底上制备各自具有500nm的厚度的银、铜、镍和铁样本，并且 使用FEM SEM测量每个厚度。金属层的每个厚度是使用根据本发明的x射线方法测量 的，并且其结果提供在以下表4中。

【表4】

金属 银 铜 镍 铁 通过X射线的分析结果 厚度不可测量 厚度不可测量 厚度不可测量 厚度不可测量

如表4中所证明，可注意到无法使用根据本发明的x射线方法测量具有近似500nm 水平或更大的金属层的厚度。

虽然已经参考其多个示意性实施例描述了本发明，但是应理解所属领域的技术人员 可以设计出将属于本发明的原理的精神和范围内的许多其它修改和实施例。

更确切地说，可能存在属于本发明、附图和所附权利要求书的范围内的主题组合配 置的组成部分和/或布置的各种变化和修改。除组成部分和/或布置中的变化和修改之外， 对于所属领域的技术人员而言替代性使用也将是显而易见的。