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在半导体器件的不同层中提供掺杂剂浓度控制的方法和系统

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摘要

一种通过控制可以与第二材料相互作用的第三材料的量来控制包含到第一材料中的第二材料的量的方法和系统。

公开/公告号CN104737268A

专利类型发明专利
公开/公告日2015-06-24

原文格式PDF
申请/专利权人第一太阳能有限公司;熊刚;瑞克·C·鲍威尔;彭西林;约翰·巴登;阿诺德·阿勒尼克;廖峰;肯尼思·M·润;
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申请/专利号CN201380005478.7
发明设计人熊刚;瑞克·C·鲍威尔;彭西林;约翰·巴登;阿诺德·阿勒尼克;廖峰;肯尼思·M·润;
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申请日2013-01-11
分类号
代理机构北京铭硕知识产权代理有限公司;
代理人尹淑梅
地址美国俄亥俄州佩里斯堡
入库时间 2023-12-18 09:38:21

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-03-09

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/02 申请公布日:20150624 申请日:20130111

发明专利申请公布后的视为撤回
2015-07-22

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/02 申请日:20130111

实质审查的生效
2015-06-24

公开

公开

1. 在半导体器件的不同层中提供掺杂剂浓度控制的方法和系统 [P] . 中国专利： CN104737268A . 2015-06-24
2. 具有V族掺杂剂的光伏器件和半导体层以及用于形成该光伏器件和该半导体层的方法 [P] . 中国专利： CN111670504A . 2020-09-15
3. Method and system of providing dopant concentration control in different layers of a semiconductor device [P] . 美国专利： US9006020B2 . 2015-04-14

机译：在半导体器件的不同层中提供掺杂剂浓度控制的方法和系统
4. METHOD AND SYSTEM OF PROVIDING DOPANT CONCENTRATION CONTROL IN DIFFERENT LAYERS OF A SEMICONDUCTOR DEVICE [P] . 美国专利： US2015171258A1 . 2015-06-18

机译：在半导体器件的不同层中提供掺杂剂浓度控制的方法和系统
5. METHOD AND SYSTEM OF PROVIDING DOPANT CONCENTRATION CONTROL IN DIFFERENT LAYERS OF A SEMICONDUCTOR DEVICE [P] . 欧洲知识产权局专利： EP2803078A1 . 2014-11-19

机译：在半导体器件的不同层中提供掺杂剂浓度控制的方法和系统