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Photoelectron spectroscopy study of systematically varied doping concentrations in an organic semiconductor layer using a molecular p-dopant

机译:使用分子p掺杂剂对有机半导体层中系统变化的掺杂浓度进行光电子能谱研究

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摘要

We investigate the doping behavior of the strongly electron accepting molecule 2,3,5,6-tetrafluoro-7,7,8,8-tetracyanoquinodimethane coevaporated with the host molecule N,N,N',N'-tetrakis(4-methoxyphenyl)-benzidine by photoemission spectroscopy and conductivity measurements. Using interface resolved measurements, we compare the alignment on different substrates and investigate the effects of varying doping concentrations on the Fermi level position. We find that at high doping concentrations the Fermi level gets pinned at the exponentially decaying tail of the highest occupied molecular orbital and compare these results with different dopants and host molecules. The measurement of the doping dependent space charge layer thickness yields information on the amount of free charge carriers and thereby the efficiency of the doping.
机译:我们研究与主体分子N,N,N',N'-四(4-甲氧基苯基)共蒸发的强电子接受分子2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰基喹二甲烷的掺杂行为)-联苯胺通过光发射光谱法和电导率测量。使用界面分辨测量,我们比较了不同基板上的对准,并研究了不同掺杂浓度对费米能级位置的影响。我们发现在高掺杂浓度下,费米能级被固定在最高占据分子轨道的指数衰减尾部,并将这些结果与不同的掺杂剂和主体分子进行比较。取决于掺杂的空间电荷层厚度的测量产生关于自由电荷载流子的量的信息,从而产生关于掺杂效率的信息。

著录项

  • 来源
    《Journal of Applied Physics》 |2009年第10期|103711.1-103711.9|共9页
  • 作者单位

    Institut fuer Angewandte Photophysik, Technische Universitaet Dresden, D-01062 Dresden, Germany;

    Institut fuer Angewandte Photophysik, Technische Universitaet Dresden, D-01062 Dresden, Germany;

    Institut fuer Angewandte Photophysik, Technische Universitaet Dresden, D-01062 Dresden, Germany;

    Institut fuer Angewandte Photophysik, Technische Universitaet Dresden, D-01062 Dresden, Germany;

    Institut fuer Angewandte Photophysik, Technische Universitaet Dresden, D-01062 Dresden, Germany;

  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
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  • 正文语种 eng
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