公开/公告号CN104752232A
专利类型发明专利
公开/公告日2015-07-01
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;
申请/专利号CN201510144259.8
申请日2015-03-30
分类号
代理机构上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙);
代理人吴世华
地址 201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路568号
入库时间 2023-12-18 09:38:21
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-03-16
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L21/336 申请公布日:20150701 申请日:20150330
发明专利申请公布后的视为撤回
2015-07-29
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/336 申请日:20150330
实质审查的生效
2015-07-01
公开
公开
机译: 一种能够高效去除离子注入造成的损伤的硅衬底的生产方法。
机译: 一种通过离子注入从损伤中高效回收的SOI衬底的制造方法
机译: 一种在溅射气体混合物中使用少量系统内清洁气体来改善离子注入等离子溢流枪(PRG)性能的方法