一种掺钼氧化锌薄膜晶体管及其制备方法

摘要

一种掺钼氧化锌薄膜晶体管及其制备方法，本发明提供了一种薄膜晶体管及其制备方法，属于半导体行业、平板显示领域。本发明的核心在于采用掺钼的氧化锌半导体材料作为薄膜晶体管的导电沟道层，制备的掺钼的氧化锌薄膜的尺寸在20nm左右，在制备的过程中，利用溅射技术制备掺钼氧化锌薄膜，通过调节掺钼的氧化锌靶材的组分，控制溅射氧气分压来改善薄膜晶体管的开关比、亚阈摆幅、阈值电压以及迁移率等特性。本发明具有工艺简单，制作成本低，低温，适用于透明显示技术和柔性显示技术等优点。