公开/公告号CN104716045A
专利类型发明专利
公开/公告日2015-06-17
原文格式PDF
申请/专利权人 上海芯亮电子科技有限公司;
申请/专利号CN201510091817.9
申请日2015-02-28
分类号
代理机构上海汉声知识产权代理有限公司;
代理人郭国中
地址 200233 上海市徐汇区虹漕路461号56幢8层E室
入库时间 2023-12-18 09:28:35
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-05-03
发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/336 申请公布日:20150617 申请日:20150228
发明专利申请公布后的驳回
2017-03-22
专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L21/336 登记生效日:20170303 变更前: 变更后: 申请日:20150228
专利申请权、专利权的转移
2015-07-15
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/336 申请日:20150228
实质审查的生效
2015-06-17
公开
公开
机译: 通过在热氧化膜与SiC衬底之间的边界表面引入5X1019 cm-3或更高的氮浓度然后去除热氧化膜的碳化硅(SiC)半导体器件的制造方法
机译: SiC功率半导体器件的热氧化层的制造方法和SiC功率半导体器件的制造方法
机译: SiC功率半导体器件的热氧化层的制造方法及SiC功率半导体器件的制造方法