法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2012-11-07
授权
授权
2011-03-23
实质审查的生效 IPC(主分类):C01B 19/04 申请日:20101015
实质审查的生效
2011-02-02
公开
公开
机译: 在CdTe衬底上生长的HgCdTe外延层上生长CdTe外延层的方法
机译: 高能效,大衬底,通过分子束外延以高沉积速率生长的多晶CdTe薄膜多晶CdTe薄膜半导体光伏电池结构,用于太阳能发电
机译: HgCdTe上cdTe的液相外延生长