一种表面富褶皱超薄直立石墨烯场发射阴极的制备方法

摘要

本发明公开了一种表面富褶皱的超薄直立石墨烯场发射阴极，属于纳米材料的制备和应用领域。其主要包括以下制备工艺：以表面平整的单晶硅片或金属片或以表面具有纳米结构的碳纳米管阵列或硅纳米线阵列作为基底；利用射频溅射技术在基底上无催化生长富褶皱超薄直立石墨烯；最后以所获得的富褶皱超薄直立石墨烯为阴极组装场电子发射器。本方法所制备的直立石墨烯很薄，平均层数在5层左右，存在大量表面褶皱，富缺陷，其作为场发射阴极比表面平坦直立石墨烯具有更低的开启场和阈值场，且具有良好的场发射稳定性，有很高的应用价值。