法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-03-02
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L29/78 申请公布日:20150506 申请日:20150115
发明专利申请公布后的视为撤回
2015-05-27
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/78 申请日:20150115
实质审查的生效
2015-05-06
公开
公开
机译: 垂直型jfet限制型碳化硅功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法和垂直型jfet限制型碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管
机译: 具有碳化硅功率金属氧化物半导体场效应晶体管和具有短路沟道的短路沟道的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法
机译: 具有短路通道的碳化硅功率金属氧化物半导体场效应晶体管和制造具有短路通道的碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管的方法