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从废旧氮化镓基发光二极管中回收镓的方法

摘要

本发明公开了一种从废旧氮化镓基发光二极管中回收镓的方法,将废旧氮化镓基发光二极管经过热解,再通过压碎-筛分、研磨-筛分得到废旧氮化镓基发光二极管的芯片富集体,将含有镓的芯片富集体进行真空冶金分离,回收得到单质镓。本发明不仅有效回收了废旧氮化镓基发光二极管中的镓,而且在回收过程中,也使非金属组分和其他常见金属得到资源化处理。本发明在减少环境污染和提高资源利用率方面优势突出,具有成本低、高效、无污染等特点。

著录项

  • 公开/公告号CN104576848A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2015-04-29

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华东师范大学;

    申请/专利号CN201410789418.5

  • 发明设计人 詹路;夏发发;

    申请日2014-12-17

  • 分类号H01L33/00(20100101);C25C1/22(20060101);C22B7/00(20060101);

  • 代理机构上海麦其知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人董红曼

  • 地址 200062 上海市普陀区中山北路3663号

  • 入库时间 2023-12-18 08:35:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-09-19

    授权

    授权

  • 2015-05-27

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/00 申请日:20141217

    实质审查的生效

  • 2015-04-29

    公开

    公开

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