选择性生长接触层的GaAs太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种选择性生长接触层的GaAs太阳能电池及其制备方法，其GaAs太阳能电池包括衬底，在衬底的上表面生长有GaAs单结或多结电池单元，在衬底的下表面沉积有背面金属电极，在GaAs单结或多结电池单元的上表面生长有窗口层，在窗口层的上表面生长或沉积有增透膜，增透膜上通过湿法腐蚀裸露出正面金属电极及栅线对应的接触层图形，在接触层图形对应的窗口层表面选择性生长有接触层；接触层上保留有正面金属电极及栅线图形，并沉积有正面金属电极；正面金属电极和接触层之间、背面金属电极和衬底之间分别形成欧姆接触。本发明能够减少接触层对受光区的过度占用，能够从根本上解决电池制作工艺过程中遇到的接触层腐蚀异常的问题。