半导体晶片加工用胶带的制造方法以及半导体晶片加工用胶带

摘要

公开了半导体晶片加工用胶带(10)的制造方法，其能够实现接合剂层的接合剂使用量的节约、制造工序的简化(尤其是接合剂层的切割工时的削减)和产品质量的提高。在该制造方法中，包含：印刷工序，以大致等于或大于半导体晶片的尺寸，在支撑用膜(11)上丝网印刷或凹版印刷晶片接合用接合剂，由此形成接合剂层(12)；和干燥工序，使接合剂层(12)干燥。

说明书

技术领域

本发明涉及半导体晶片加工用胶带的制造方法以及利用该制造方法制造的半导 体晶片加工用胶带。

背景技术

作为半导体晶片的加工用胶带，存在有在晶片接合胶带上层叠粘合胶带(切割胶 带)而成的切割/晶片接合膜，其中，所述晶片接合胶带是在支撑用的树脂膜上具有以 大致等于或大于半导体晶片的尺寸而形成为圆形的接合层，所述粘合胶带同样形成为 圆形。

作为这样的多层胶带的常规制造方法，已知有如下制造方法(例如，专利文献1)： 以覆盖树脂膜的整个单面的方式，利用涂布机涂布接合剂，然后，利用以与半导体晶 片的尺寸相符的方式保留一部分而去除不需要部分的方法，形成并层叠粘合胶带，将 粘合胶带切割为与环形框架相符的形状。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2007-002173号公报

发明内容

发明要解决的问题

在现有的制造方法中，在树脂膜的整个单面涂布接合剂而暂且形成接合剂层，然 后，预切割出与晶片尺寸对应的部分，然后去除不需要部分，因此，存在接合剂层之 中作为不需要部分而废弃的部分的量较多的问题。尤其是，在使用了晶片接合用的接 合胶带那样价格昂贵的材料的情况下，为了提高产品成品率，强烈要求减少作为不需 要部分而废弃的部分的量。

此外，在制造切割/晶片接合膜的情况下，在现有的制法中，要进行接合剂层的 形成、接合剂层的预切割、不需要部分的去除、粘合胶带的贴合、粘合胶带的预切割， 存在工时多、生产线长的问题。由于生产线长的限制等，根据情况，在预切割接合剂 层后，需要从接合剂层上方暂且贴合隔离物，卷取为辊状后，改换生产线，剥离隔离 物，使粘合胶带贴合于接合剂层，进行粘合胶带的预切割，这种情况下，工时进一步 增加。

此外，在利用现有的方法来制造接合胶带的情况下，需要在支撑侧的树脂膜上将 接合剂层切割为半导体晶片状，因此，在切割接合剂层时，在支撑膜的表面产生沿着 接合剂层的切割部分的切入的问题。即，如图10所示，在支撑用膜11上形成接合剂 层12，然后，在切割接合剂层12时，接合剂层12的外周部被垂直地切割，由于其 切割刀具的前端，在支撑膜11中形成割伤40。在这样的情况下，在切割刀具导致的 切入部分容易附着膜尘等异物，因此，为了实现产品质量的提高，期望能够尽量抑制 割伤的产生。

因此，本发明的主要目的在于提供一种半导体晶片加工用胶带的制造方法，其能 够实现接合剂层的接合剂使用量的节约、制造工序的简化(尤其是接合剂层的切割工 时的削减)和产品质量的提高。

用于解决问题的手段

为了解决以上问题，根据本发明，提供一种半导体晶片加工用胶带的制造方法， 其包括：

印刷工序，以大致等于或大于半导体晶片的尺寸，在第1树脂膜上丝网印刷或凹 版印刷晶片接合用接合剂，由此形成接合剂层；和

干燥工序，使所述接合剂层干燥。

发明效果

根据本发明，在印刷工序中，通过将接合剂进行丝网印刷或凹版印刷，能够仅对 所需的部分涂布接合剂，因此，不需要去除接合剂层的不需要部分，能够节约接合剂 的使用量。

在这样的情况下，还能够削减接合剂层的切割工序，能够实现制造工序的简化， 而且，不会对第1树脂膜形成割伤，因此能够实现产品质量的提高。

附图说明

图1是示出本发明的优选实施方式(第1实施方式)的半导体晶片加工用胶带的示 意性结构的侧视图。

图2是对半导体晶片加工用胶带的制造工序进行说明的图。

图3是半导体晶片加工用胶带的制造装置的概念图。

图4是示出利用现有的制造方法形成的半导体晶片加工用胶带的示意性结构的 剖视图。

图5是示出图1的半导体晶片加工用胶带的接合剂层的变形例的图。

图6是第2实施方式的半导体晶片加工用胶带的侧视图。

图7是对第2实施方式的半导体晶片加工用胶带的制造工序进行说明的图。

图8是第3实施方式的半导体晶片加工用胶带的侧视图。

图9是对第3实施方式的半导体晶片加工用胶带的制造工序进行说明的图。

图10是用于说明现有的制造方法导致的问题的图。

图11是用于说明本发明的实施例的样本的接合剂层的外周部(倾斜部)的图。

具体实施方式

＜第1实施方式＞

以下，参照附图，对本发明的第1实施方式进行说明。

图1示出本实施方式中的半导体晶片加工用胶带10的侧视图。

该半导体晶片加工用胶带10依次层叠有作为第1树脂膜的支撑用膜11、由晶片 接合用接合剂构成的接合剂层12、由切割用粘合剂构成的粘合剂层13以及作为第2 树脂膜的基材膜14。

在制造半导体晶片加工用胶带10时，支撑用膜11支撑接合剂层12，并作为接 合剂层12的保护膜发挥作用。

接合剂层12与半导体晶片贴合，进行切割后拾取芯片时，与粘合剂层13剥离而 附着于芯片，在将芯片固定到基板或引线框架上时，作为接合剂来使用。

在进行切割时，粘合剂层13作为保持半导体晶片以及单片化后的芯片时的粘合 剂使用。

基材膜14是用于通过切割后的扩展来分断芯片和接合剂层12而能够扩展 (expand)的胶带。

首先，对各层的成分进行说明。

＜支撑用膜(11)＞

作为支撑用膜11，适合使用聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜。此外，除了聚对苯 二甲酸乙二醇酯膜以外，也可以使用聚四氟乙烯膜、聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚甲基戊 烯膜、聚酰亚胺膜等塑料膜，这些塑料膜也可以对表面进行脱模处理后使用。

＜接合剂层(12)＞

接合剂层12没有特别限定，只要是通常在切割/晶片接合胶带中使用的晶片接合 胶带即可，如果具有柔性且容易断开，则对于提高半导体制造工序的成品率是适合的。

为了得到具有柔性且容易断开的接合剂层，要满足(i)～(iii)中的至少1个条 件，优选满足两个条件，更优选满足全部3个条件。

(i)接合剂层的B阶段状态在25℃下的断裂伸长率为40％以下，优选为10％以 下，更优选为3％以下。

(ii)B阶段状态的接合剂层12在25℃下的断裂强度为0.1MPa以上且10MPa以下。

(iii)基于25℃且10Hz下的动态粘弹性测定的弹性模量为1MPa～3000MPa，基于 25℃且900Hz下的动态粘弹性测定的弹性模量为4000MPa～20000MPa。

在断裂伸长率超过40％的情况下，易断开度不足，有可能不能提高半导体制造 工序的成品率，因而不合适。

同样，在断裂强度小于0.1MPa的情况下，接合剂层12的柔性不足，操作处理性 有可能下降，在超过10MPa的情况下，易断开度不足，有可能不能提高半导体制造工 序的成品率，因而不合适。

25℃且10Hz下的弹性模量优选为10～1500MPa，更优选为100～1200MPa。在该 弹性模量小于1MPa时，易断开度不足，有可能不能提高半导体制造工序的成品率， 在超过3000MPa时，有可能在操作处理时在接合剂层12中产生裂纹而不优选。此外， 25℃且900Hz下的弹性模量优选为5000～15000MPa。在该弹性模量小于4000MPa时， 存在难以断开的趋势，在超过20000MPa时，存在操作使用时容易产生裂纹的趋势。

构成接合剂层12的成分只要满足上述特性即可，没有特别限制，优选包含高分 子成分、热固化性成分以及填料，此外，可以进一步包含固化促进剂、催化剂、添加 剂、偶联剂等。

此外，接合剂层12中包含的高分子成分越多、填料越少则断裂强度和断裂伸长 率越高，而弹性模量具有高分子成分越少、填料越多则越高的趋势，因此，调节这些 成分(成分比率)，使得断裂强度或断裂伸长率为上述说明的固定的数值范围内很重 要。

作为高分子成分，只要满足接合剂层12的所述特性即可，没有特别限制，但优 选其玻璃化转变温度(以下记作Tg)为-30℃～50℃、重量平均分子量为1万～100万。 在Tg超过50℃时，在接合剂层12的柔软性较低这点上存在问题，在Tg小于-30℃ 时，接合剂层12的柔软性过高，因而在接合剂层12不易断开这点上不利。此外，在 重量平均分子量小于1万时，在接合剂层12的耐热性下降这点上存在问题，在分子 量超过100万时，在接合剂层12的流动性下降这点上存在问题。

从接合剂层12的易断开度和耐热性的观点出发，更优选Tg为-20℃～40℃且重 量平均分子量为10万～90万的高分子成分，优选Tg为-10℃～50℃且重量平均分子 量为5万～100万的高分子成分，特别优选Tg为-10℃～30℃且重量平均分子量为50 万～90万的高分子成分。

此外，重量平均分子量是通过凝胶渗透色谱法(GPC)并使用基于标准聚苯乙烯的 标准曲线而得到的聚苯乙烯换算值，作为泵，使用了日立制作所制L-6000，作为色 谱柱，使用了依次连结日立化成工业(株)制Gelpack GL-R440、Gelpack GL-R450以 及Gelpack GL-R400M(各10.7mmφ×300mm)而得到的色谱柱，作为洗脱液，使用了四 氢呋喃，针对使试样120mg溶解于THF5ml而得到的样本，以流速1.75mL/分钟而测 定出的值。

作为高分子成分，具体而言，可举出聚酰亚胺、聚苯乙烯、聚乙烯、聚酯、聚酰 胺、丁二烯橡胶、丙烯酸橡胶、(甲基)丙烯酸树脂、聚氨酯树脂、聚苯醚树脂、聚醚 酰亚胺树脂、苯氧基树脂、改性聚苯醚树脂、苯氧基树脂、聚碳酸酯以及它们的混合 物等。

特别优选为包含官能性单体且重量平均分子量为10万以上的高分子成分，例如 包含丙烯酸缩水甘油酯或甲基丙烯酸缩水甘油酯等官能性单体且重量平均分子量为 10万以上的含环氧基的(甲基)丙烯酸共聚物等。作为含环氧基的(甲基)的丙烯酸共 聚物，例如可以使用(甲基)丙烯酸酯共聚物、丙烯酸橡胶等，更优选为丙烯酸橡胶。 丙烯酸橡胶是以丙烯酸酯主要成分，主要由丙烯酸丁酯和丙烯腈等的共聚物或丙烯酸 乙酯和丙烯腈等的共聚物等构成的橡胶。

关于高分子成分，相对于从接合剂层12的全部重量减去填料的重量后的重量， 优选含有50重量％以下，更优选含有35重量％以下，特别优选含有25重量％以上 且35重量％以下。在高分子成分的混配量较多时，存在接合剂层12的断裂性恶化的 趋势，在混配量较小时，由于接合时的流动性过大，存在产生空隙的趋势。

作为热固化性成分，存在环氧树脂、氰酸酯树脂、酚醛树脂及其固化剂等，在耐 热性高这点上，优选为环氧树脂。关于环氧树脂，只要是发生固化而具有接合作用即 可，没有特别限定。可以使用双酚A型环氧树脂等二官能环氧树脂、苯酚酚醛清漆型 环氧树脂或甲酚酚醛清漆型环氧树脂等酚醛清漆型环氧树脂等。此外，也可以应用多 官能环氧树脂、缩水甘油胺型环氧树脂、含杂环的环氧树脂或脂环式环氧树脂等公知 的环氧树脂。

此外，以降低B阶段状态的接合剂层12的断裂强度、断裂伸长率、提高接合剂 的操作处理性、提高热传导性、调整熔融粘度、赋予触变性等为目的，本发明的接合 剂层12中混配有填料，优选混配无机填料。

作为无机填料，可举出氢氧化铝、氢氧化镁、碳酸钙、碳酸镁、硅酸钙、硅酸镁、 氧化钙、氧化镁、氧化铝、氮化铝、硼酸铝晶须、氮化硼、结晶二氧化硅、非晶二氧 化硅、锑氧化物等。为了提高热传导性，优选为氧化铝，氮化铝、氮化硼，结晶二氧 化硅、非晶二氧化硅等。出于调整熔融粘度和赋予触变性的目的，优选为氢氧化铝、 氢氧化镁、碳酸钙、碳酸镁、硅酸钙、硅酸镁、氧化钙、氧化镁、氧化铝、结晶二氧 化硅、非晶二氧化硅等。此外，为了提高耐湿性，优选为氧化铝、二氧化硅、氢氧化 铝、锑氧化物。

相对于接合剂层12的全部重量，上述填料量优选为5重量％以上且90重量％以 下，更优选为35重量％以上且70重量％以下。在混配量较多时，容易引起接合剂层 12的储能模量上升、接合性下降、空隙残存导致的电气特性的下降等问题，因而特 别优选为90重量％以下。此外，填料的比重优选为1g/cm³～10g/cm³。

＜粘合剂层(13)＞

对粘合剂层13的成分没有特别限制，只要具有在切割时不产生与接合剂层12 的剥离、不产生芯片脱落等不良的程度的保持性、或者具有在拾取时容易进行与接合 剂层12的剥离的特性即可。为了提高切割后的拾取性，粘合剂层13优选具有放射线 固化性，优选为在固化后容易与接合剂层12剥离的材料。

例如，优选含有使选自聚异氰酸酯类、三聚氰胺/甲醛树脂以及环氧树脂中的至 少1种化合物(B)与分子中具有碘值0.5～20的放射线固化性碳-碳双键的化合物(A) 发生加成反应而得到的聚合物。此处，放射线是紫外线那样的光线或电子射线等电离 性放射线。

对作为粘合剂层13的主要成分之一的化合物(A)进行说明。

化合物(A)的放射线固化性碳-碳双键的导入量以碘值计为0.5～20，优选为 0.8～10。碘值为0.5以上时，能够得到降低放射线照射后的粘合力的效果，如果碘 值为20以下，则放射线照射后的粘合剂的流动性充分，能够充分得到延伸后的元件 间隙，因此能够抑制在拾取时各元件的图像识别变得困难这样的问题。此外，化合物 (A)自身具有稳定性，容易制造。

化合物(A)玻璃化转变温度优选为-70℃～0℃，更优选为-66℃～-28℃。如果玻 璃化转变温度Tg为-70℃以上，则针对由放射线照射造成的热的耐热性足够，如果为 0℃以下，则充分得到防止表面状态粗糙的晶片中的切割后的半导体芯片飞散的效果。

上述化合物(A)可以通过任意方法来制造，例如，使用丙烯酸类共聚物和具有放 射线固化性碳-碳双键的化合物混合而成的材料，或者，使用使具有官能团的丙烯酸 类共聚物或具有官能团的甲基丙烯酸类共聚物(A1)与具有能够与其官能团反应的官 能团且具有放射线固化性碳-碳双键的化合物(A2)反应而得到的材料。

化合物(A)的分子量优选为30万～100万左右。小于30万时，放射线照射导致 的凝聚力较小，在对晶片进行切割时，容易产生元件偏差，有时难以进行图像识别。 为了尽量防止该元件的偏差，分子量优选为40万以上。此外，如果分子量超过100 万，则在合成时和涂覆时，有可能发生凝胶化。此外，本发明中的分子量是基于聚苯 乙烯换算的重量平均分子量。

此外，化合物(A)具有羟值5～100的OH基时，能够降低放射线照射后的粘合力， 从而进一步降低拾取失误的危险性，因而是优选的。此外，化合物(A)优选具有酸值 为0.5～30的COOH基。此处，化合物(A)的羟值过低时，放射线照射后的粘合力的下 降效果不充分，过高时，存在有损放射线照射后的粘合剂的流动性的趋势。此外，酸 值过低时，胶带复原性的改善效果不充分，过高时，存在有损粘合剂的流动性的趋势。

接下来，对作为粘合剂层的另一主要成分的化合物(B)进行说明。

化合物(B)是选自聚异氰酸酯类、三聚氰胺/甲醛树脂以及环氧树脂中的至少1 种化合物，可以单独使用或组合两种以上来使用。该化合物(B)作为交联剂发挥作用， 通过作为与化合物(A)或基材膜反应的结果而得到的交联结构，在粘合剂涂布后，能 够提高以化合物(A)和(B)为主要成分的粘合剂的凝聚力。

作为化合物(B)的添加量，相对于化合物(A)100重量份，优选为0.1～10重量份， 更优选为0.4～3重量份。该量小于0.1重量份时，存在凝聚力提高效果不充分的趋 势，超过10重量份时，在粘合剂的混配以及涂布作业中，固化反应急速地进行而形 成交联结构，因而存在有损作业性的趋势。

此外，在粘合剂层13中，优选包含光聚合引发剂(C)。

对粘合剂层13中包含的光聚合引发剂(C)没有特别限制，可以使用现有已知的光 聚合引发剂。作为光聚合引发剂(C)的添加量，相对于化合物(A)100重量份，优选为 0.01～5重量份，更优选为0.01～4重量份。

此外，根据需要，可以混配增粘剂、粘合调节剂、表面活性剂等，或者混配其它 改质剂和常用成分。粘合剂层13的厚度没有特别限制，但通常为2μm～50μm。

＜基材膜(14)＞

作为基材膜14，优选具有放射线透过性，具体而言，通常使用塑料、橡胶等， 只要透过放射线则特别限制，不过在利用紫外线照射来使放射线固化性粘合剂固化的 情况下，可以选择透光性好的材料作为其基材。

作为可选择作为这样的基材的聚合物的例子，可举出聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙 烯共聚物、聚丁烯-1、聚-4-甲基戊烯-1、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙 酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、离聚物等α-烯烃的均聚物 或共聚物或它们的混合物、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯等 工程塑料、聚氨酯、苯乙烯-乙烯-丁烯或戊烯类共聚物、聚酰胺-多元醇共聚物等热 塑性弹性体以及它们的混合物。

此外，为了加大元件间隙，优选为颈缩(在使基材膜14放射状延伸时产生的力的 传播性不良导致产生局部性伸长)尽量小的材料，可例示出聚氨酯、限定了分子量和 苯乙烯含量的苯乙烯-乙烯-丁烯或戊烯类共聚物等，为了防止切割时的伸长或挠曲， 使用交联而成的基材膜14时有效。从强度伸长率特性、放射线透过性的观点出发， 基材膜14的厚度通常为20μm～300μm是适当的。

此外，在对基材膜14的与涂布放射线固化性的粘合剂层13侧相反一侧表面进行 褶皱加工或润滑剂涂覆时，具有防止结块、防止基材膜14的颈缩等效果，因而是优 选的，其中，上述防止颈缩是通过使在基材膜14上形成有粘合剂层13的切割胶带的 放射状延伸时的切割胶带与夹具的摩擦降低而得到的。

＜半导体晶片加工用胶带的制造方法＞

上述半导体晶片加工用胶带10的制造按照图2所示的工序来进行。

首先，输送支撑用膜11(步骤A1)，然后进行如下印刷工序(步骤A2)：对输送出 的支撑用膜11，使用含有上述构成接合剂层12的成分的接合剂进行丝网印刷或凹版 印刷，形成接合剂层12。

接下来，进行使印刷出的接合剂层12干燥的干燥工序(步骤A3)。

然后，进行如下贴合工序(步骤A4)：将在基材膜14上形成有粘合剂层13的切 割胶带15层压于在支撑用膜11上形成的接合剂层12的与支撑用膜11相对的面，使 得接合剂层12与粘合剂层13相接触，制成半导体晶片加工用胶带10。

进而，将半导体晶片加工用胶带10最终卷取为辊状(步骤A5)。

图3是示出利用这样的制造方法制造半导体晶片加工用胶带10的制造装置30 的概念图。

该制造装置30构成为依次排列有输送支撑用膜11的输送机31、进行印刷工序 的印刷机32、进行干燥工序的干燥炉35、进行贴合工序的贴合部36、卷取半导体晶 片加工用胶带10的卷取机38。

在下述说明中，对制造装置30的结构进行说明，并对使用了制造装置30的半导 体晶片加工用胶带10的制造方法的各工序的处理进行说明。

[步骤A1(输送工序)]

输送机31保持辊状的支撑用膜11，随着制造作业的进展，依次从该输送机31 输送支撑用膜11。从该输送机31输送出的支撑用膜11被送至进行印刷工序的印刷 机32。

[步骤A2(印刷工序)]

印刷机32在支撑用膜11上，利用印刷方法形成接合剂层12。在由该印刷机32 送入的支撑用膜11上，断续地形成大致等于或大于半导体晶片的尺寸的多个接合剂 层12。此处所谓“大致等于”也包含小于半导体晶片的尺寸的尺寸，但表示至少能 够覆盖从该半导体晶片分割的全部芯片的尺寸。

在印刷工序中，使用接合剂作为墨，形成与半导体晶片的尺寸相符的形状的接合 剂层12。“与半导体晶片的尺寸相符的形状”优选为圆形形状，如果在半导体晶片中 存在基准面(orientation flat)或槽口，则只要包含能够与其形状对应的形状并至少 具有接合半导体芯片的面积的多边形状即可。

这样，通过印刷工序，形成与半导体晶片的尺寸相符的形状的接合剂层12，由 此，能够省略之后将接合剂层12切割为晶片尺寸的工序。

即，在该制造方法中，不需要执行将接合剂层12切割为与半导体晶片的尺寸相 符的形状这样的切断工序的处理。由此，能够防止在接合剂层12或支撑用膜11中产 生割伤，因此，能够防止由割伤的产生造成的异物残留，能够提高产品的质量。此外， 由于仅印刷所需部分，因此，能够大幅削减在接合剂层12中使用的材料的损耗。

作为印刷机32的印刷方法，可以使用丝网印刷、凹版(gravure)印刷、凸版印刷、 凹版(intaglio)印刷、喷墨印刷等，可以选择能够得到期望的接合剂层12的厚度的 印刷方法。

在上述印刷方法中，丝网印刷法和凹版(gravure)印刷法适合于半导体晶片加工 用胶带10的图案印刷，在该印刷工序中，进行丝网印刷或凹版印刷，形成接合剂层 12。

关于丝网印刷，虽然取决于粘合材料(接合剂)的固体成分比例或丝网版的网孔尺 寸，但通常能够进行几μm～一百几十μm的厚度的印刷，能够将每1次的印刷厚度 调整得较大，因此，能够进行生产率高的制造。

作为丝网印刷的印刷机或印刷方式，存在单片式印刷机、能够连续地进行单片式 印刷的卷对卷式、卷对卷式的圆网印刷机，不过，如果使用圆网印刷机，则与通常的 单片式丝网印刷机相比，能够进行高速印刷，因而能够提高生产效率。

关于凹版印刷，每1次的涂覆膜厚为几μm左右，能够以旋转式且高速地制造接 合剂层12，因此，在以厚度薄的接合剂层12(几μm)为对象的情况下，对生产率是有 利的。

可以根据要形成的接合剂层12的厚度来选择丝网印刷或凹版印刷的印刷方法， 期望的是，在接合剂层12的厚度为几μm～10μm左右的情况下，选择凹版印刷，在 接合层的厚度为5～10μm以上的情况下，选择丝网印刷。

在印刷工序中使用的接合剂(晶片接合用接合剂)使用了将上述接合剂层12中包 含的材料溶解或分散于溶剂而成的物质。对溶剂没有特别限定，优选为环己酮或甲乙 酮。

按5～80重量％混合该溶剂，将接合剂的在印刷时的气氛温度下的粘度调整为最 优的范围。

将从输送机31起、经过印刷机32直到干燥炉35的入口为止的范围(区域)配置 在温湿度控制部33内，在温湿度控制部33内，能够利用温湿度调整机34使温度和 湿度保持规定值。关于该温湿度控制部33的温度和湿度，可根据接合剂的组成或溶 剂的种类等来选择适当的温度和湿度。

此外，只要至少将进行印刷的部分配置在温湿度控制部33内即可，但优选将从 进行印刷的部分到干燥炉35之间的部分配置在温湿度控制部33内。但是，从提供高 质量的产品的观点出发，优选利用图3所示的装置结构进行制造，但由于干燥炉长度、 制造场所的室内环境以及粘合剂中所含有的溶剂种类，状况有所不同，因此，在制造 设备中不一定必须具有温湿度控制部33或温湿度调整机34。

考虑丝网印刷或凹版印刷时的版分离性、厚度精度或接合剂的粘度变化，优选尽 可能抑制接合剂中所含有的溶剂的蒸发速度。但是，在接合剂中混入过多具有慢干(遅 干)作用的溶剂时，会导致干燥工序中的生产率下降或设备成本上升，因此，进行印 刷工序气氛的温湿度管理，来进行蒸发速度的控制。通过该温湿度管理，设为10℃ 以下，优选设为5℃以下，优选将接合剂中所含有的溶剂的蒸气压设为100mmHg以下， 更优选为50mmHg以下，特别优选为30mmHg以下。通过进行这样温湿度管理，能够抑 制接合剂中所含有的溶剂的蒸发速度，能够实现接合剂的粘度的稳定性。

在利用丝网印刷涂覆接合剂的情况下，接合剂层12具有特征性表面以及截面形 状，因此，与利用基于通常的涂布机的涂覆方法或基于切割刀具的截面切割工艺制造 出的产品相比，在质量上有利。

此外，在丝网印刷的情况下，适合将接合剂的粘度设为6Pas以下，优选设为 0.05Pas～5Pas(0.05Pas以上且5Pas以下)。在接合剂的粘度较小的情况下，例如， 在小于0.05Pas的程度的情况下，接合剂有可能透过丝网版而不能进行良好的印刷， 因而需要注意。

在凹版印刷的情况下，适合将接合剂的粘度调整为10Pas以下，优选调整为 0.01Pas～几Pas(0.01Pas以上且几Pas以下)。这是因为，在印刷时，接合剂难以从 版体分离，在支撑用膜11中产生接合剂的转印不均，给印刷的质量(针孔等)带来影 响。

此外，在凹版印刷中，由于与丝网印刷同样为图案印刷，因此，能够期待与在丝 网印刷中记述的相同的效果。

[步骤A3(干燥工序)]

通过印刷工序而形成有接合剂层12的支撑用膜11被送至干燥炉35，该干燥炉 35进行使接合剂层12中所含有的溶剂挥发的干燥工序。

在干燥工序中，根据接合剂的组成或溶剂的种类等，适当选择干燥炉35内的温 度或干燥时间，优选以常温～200℃的温度使接合剂层12干燥几分钟左右。

[步骤A4(贴合工序)]

通过干燥工序使接合剂层12干燥后的支撑用膜11被送至贴合部36，贴合部36 进行使支撑用膜11与在基材膜14上形成有粘合剂层13的切割胶带15贴合的贴合工 序。接合剂层12通过印刷工序，已经成为与半导体晶片的形状相符的形状，能够在 干燥工序之后接着进行贴合工序。由此，能够缩短生产线的长度。

在贴合工序(贴合部36)中，将支撑用膜11和切割胶带15夹在辊37之间，在辊 37之间施加规定的压力，以在支撑用膜11上形成的接合剂层12与切割胶带15的粘 合剂层13相接触的方式，使支撑用膜11与切割胶带15贴合。辊37之间的压力可以 适当设定，但优选在线压1MPa～5MPa下进行。由此，完成了依次有层叠支撑用膜11、 接合剂层12、粘合剂层13以及基材膜14的半导体晶片加工用胶带10。

[步骤A5(卷取工序)]

利用卷取机38将完成后的半导体晶片加工用胶带10进行卷取，使半导体晶片加 工用胶带10成为辊状。

根据以上的实施方式，在印刷工序中，使用实施了粘度调整的接合剂，进行丝网 印刷或凹版印刷，形成接合剂层12，因此，能够消除因去除接合剂层12的不需要部 分导致的浪费，节约接合剂使用量。

此外，根据本实施方式，不需要接合剂层12的不需要部分的切割工序，因此， 能够简化半导体晶片加工用胶带的制造工序，进而，能够防止因割伤的产生导致的异 物的残存，提高产品质量。

关于制造工序的简化，还具有如下效果。

即，在现有的制造方法中，如说明书第2页第1段说明的那样，在存在生产线长 度的限制等的情况下，需要经过接合剂层的形成、接合剂层的预切割、隔离物的贴合、 生产线的变更、隔离物的剥离、…这样的工序。这种情况下，在使接合剂层与隔离物 贴合时，为了提高密合性，需要在加热辊中加热到40～一百几十℃左右的范围来进 行贴合处理，然后，需要在剥离隔离物后贴合粘合胶带(切割胶带15)。

与此相对，在本实施方式的贴合工序中，由于使接合剂层12直接与粘合剂层13 贴合，因而密合性高，能够不使用加热辊而在常温下进行贴合。因此，根据本实施方 式，不仅能够缩短生产线长度，而且不需要现有的制造方法中所需的加热辊设备，从 而能够抑制设备投资。

对由抑制割伤的产生带来的产品质量的提高进行详细说明。

图4示出利用现有制法制作出的切割/晶片接合胶带50的截面。

根据图4可知，在切割/晶片接合胶带50中，接合剂层12的外周部被预切割刀 具大致垂直地切割，在支撑膜11中形成割伤40。此处，“割伤(40)”是指在支撑用 膜11的接合剂层12侧的表面，以凹行导入切痕的状态。在这样的情况下，在粘合接 合剂层12与切割胶带15时，随着割伤40的形成，有可能在该部分残存异物，或在 接合剂层12的外周部产生空隙(空隙)。

与此相对，如本实施方式这样，将接合剂的粘度调整为最优范围(在丝网印刷的 情况下优选为0.05Pas～5Pas，在凹版印刷的情况下优选为0.01Pas～几Pas)，控制 印刷环境的温湿度，在利用丝网印刷或凹版印刷来形成接合剂层12的情况下，如图 1所示，不会在支撑用膜11中形成割伤40，因此，在接合剂层12的外周部(侧缘部) 形成有倾斜部12a，在对其进行截面观察时，该倾斜部12a平缓地倾斜，在接合剂层 12与粘合剂层13之间，密合性良好(高)而不易产生空隙。

此外，在接合剂的粘度较大时，(例如在丝网印刷的情况下为6Pas左右时)，如 图5所示，在接合剂层12的外周部，有时厚度略微增大，在对其进行截面观察时， 形成有呈略微凸部形状的凸部12b(在从外周端起1mm左右的内侧的范围内，相对于 与半导体晶片相接触的厚度为+几～30％左右)。在这样的情况下，接合剂层12的外 周部与粘合剂层13的层间密合提高，具有能够良好地实施接合剂层12与切割胶带 15的层压的效果。

此外，在印刷出的接合剂层12的外周部的内侧(中心侧)，利用丝网版，能够抑 制为在实用上没有问题的厚度精度。因此，半导体晶片在剥离了支撑膜11之后，与 接合剂层12的平滑面侧贴合，不受由接合剂层12的外周部的凸部12b导致的影响。 不过，从半导体芯片的拾取性的观点出发，优选将接合剂印刷得至少大于能够覆盖从 该半导体晶片分割的全部芯片的尺寸，以接合剂层12的凸部12b的形成范围与半导 体芯片不重合的方式，将接合剂层12的印刷面积设为(设计)略大于半导体晶片尺寸。

＜第2实施方式＞

接下来，对第2实施方式进行说明。

需要说明的是，第2实施方式具有与上述第1实施方式基本相同的结构，以下， 对具有相同结构的部分标注相同标号而省略说明，主要对不同部分进行说明。

图6是示出本实施方式的半导体晶片加工用胶带10的侧视图。

在本实施方式中，也利用印刷方法形成粘合剂层13。

本实施方式的半导体晶片加工用胶带10的制造按照图7所示的工序来进行。

在图7的工序中，替代层压图2所示的工序中的切割胶带15的贴合工序(步骤 A4)，而进行层压圆形印刷后的切割胶带15的贴合工序(步骤A11)。

在上述贴合工序(步骤A11)中使用的切割胶带15中，在作为树脂膜基材膜14上 形成大致等于或大于环形框架的尺寸的圆形的粘合剂层13。此处所谓“大致相同的” 也包含小于环形框架的尺寸(外径)的尺寸，但表示至少大于环形框架的内径而能够与 环形框架接触的尺寸。

在该贴合工序中，以使形成为圆形的接合剂层12的中心与形成为圆形的粘合剂 层13的中心一致而成为同心圆的方式，使支撑用膜11与切割胶带15贴合。

切割胶带15的粘合剂层13可以形成为与形成为圆形的接合剂层12大致相同大 小的圆形，但优选形成为比接合剂层12大的圆形。

如果使粘合剂层13形成为比接合剂层12大的圆形，则在贴合半导体晶片的部分 存在接合剂层12，在贴合环形框架的部分，不存在接合剂层12而仅存在粘合剂层13。 通常，接合剂层12不易与被附着体剥离，由此，能够使环形框架与粘合剂层13贴合， 在使用后的胶带剥离时，得到不易产生对环形框架的粘剂残留这样的效果。

该切割胶带15按照与在支撑用膜11上形成接合剂层12的工序(步骤A1～A3)相 同的工序来制造。

即，切割胶带15通过在基材膜14上利用印刷方法形成粘合剂层13的印刷工序 和使印刷出的粘合剂层13干燥的干燥工序来制造。

关于在印刷工序中使用的粘合剂(切割用粘合剂)，使用将上述粘合剂层13中包 含的材料溶解或分散于溶剂而得到的物质。

对溶剂没有特别限定，但优选将粘合剂的粘度制备为0.05～5Pas，更优选0.05～ 1Pas。

此外，通过印刷工序气氛下的温湿度管理，设为10℃以下，优选设为为5℃以下， 优选将粘合剂中所含有的溶剂的蒸气压设为100mmHg以下，更优选为50mmHg以下， 特别优选为30mmHg以下。这样，通过进行温湿度管理，能够抑制粘合剂中所含有的 溶剂的蒸发速度，能够实现粘合剂的粘度的稳定性。

此外，在对印刷工序气氛进行温湿度管理时，根据情况，有可能产生结露，优选 实施如下等对策：对温湿度控制部33与干燥炉35之间的壁面设置隔热材；或者从印 刷之后到干燥炉35之间，阶段性地进行温湿度管理。

这样，针对切割胶带15，也通过印刷工序形成与环形框架的尺寸相符的形状的 粘合剂层13，由此，能够省略之后对粘合剂层13进行切割的工序，能够防止在粘合 剂层13或基材膜14中产生割伤。由此，能够防止由割伤的产生造成的异物残留，能 够提高产品质量。此外，由于仅印刷所需的部分，因而能够大幅削减在粘合剂层13 中使用的材料的损耗。

在现有制法中，在制造切割/晶片接合胶带那样的多层接合胶带时，在制作出晶 片接合胶带后，将接合剂层切割为半导体晶片状，接下来，与切割胶带贴合，然后将 切割胶带侧切割为外周面，制作出多层接合胶带。在该情况下，每当层叠接合膜时则 需要切割工序，从而需要多个工序。

与此相对，如本实施方式这样，通过印刷工序形成接合剂层12、粘合剂层13， 由此，能够利用简便的工序进行制造，能够提高制作多层化胶带的生产效率。

＜第3实施方式＞

接下来，对第3实施方式进行说明。

此外，第3实施方式具有与上述第1实施方式基本相同的结构，以下，对具有相 同结构的部分标注相同标号而省略说明，主要对不同部分进行说明。

图8是示出本实施方式的半导体晶片加工用胶带10的侧视图。

本实施方式的半导体晶片加工用胶带10仅具有接合剂层12。

本实施方式的半导体晶片加工用胶带10的制造按照图9所示的工序来进行。

在图9的工序中，替代层压图2所示的工序的切割胶带的贴合工序(步骤A4)， 而进行层压覆盖膜16的贴合工序(步骤A21)。

此外，作为覆盖膜16，可以使用由能够在支撑用膜11中使用的材质构成的膜。

此外，在上述第1～第3实施方式中，作为半导体晶片加工用胶带10的例子， 示出了切割/晶片接合胶带或晶片接合胶带，不过，可以将本发明应用于在其它切割 胶带或在研削半导体晶片背面的背面研磨工序中用于保护半导体晶片的电路图案形 成面(晶片表面)的表面保护胶带等、各种半导体晶片加工/保护用途的胶带制造工序。

此外，示出了使用长条的支撑用膜11来连续地制造半导体晶片加工用胶带10 的方法，但也可以将本发明应用于制造1片半导体晶片的半导体晶片加工用胶带10 的方法。

接下来，对为了明确本发明效果而进行的实施例进行详细说明，但本发明不限于 这些实施例。

实施例1

[粘合胶带的制造]

(1)粘合胶带1的制造

制造由丙烯酸异辛酯、丙烯酸2-羟乙酯以及甲基丙烯酸甲酯构成的质量平均分 子量80万且玻璃化转变温度为-30℃的丙烯酸类共聚物化合物。

然后，针对100重量份的该共聚物化合物，添加20重量份的三羟甲基丙烷三甲 基丙烯酸酯作为具有放射线固化性碳-碳双键的化合物，添加7重量份的聚异氰酸酯 化合物Coronate L(日本聚氨酯有限公司制，商品名)作为固化剂，此外，添加5重 量份的Irgacure184(日本Ciba-Geigy有限公司制商品名)作为光聚合引发剂，从得 到放射线固化性的粘合剂。

将该粘合剂涂覆于由聚丙烯树脂和氢化苯乙烯-丁二烯共聚物构成的厚度为 100μm的基材膜，然后在热风干燥炉中干燥，得到作为干燥后的厚度为10μm的粘合 剂层与基材膜的层叠体的粘合胶带1。

(2)粘合胶带2的制造

制造由丙烯酸异壬酯、丙烯酸2-羟乙酯以及甲基丙烯酸甲酯构成的质量平均分 子量80万且玻璃化转变温度为-30℃的丙烯酸类共聚物化合物。

然后，对100重量份的该共聚物化合物添加9重量份的聚异氰酸酯化合物 Coronate L(日本聚氨酯有限公司制，商品名)作为固化剂，得到粘合剂。

与粘合胶带1同样地，将该粘合剂涂覆于与粘合胶带1相同的基材膜并干燥，得 到粘合胶带2。

[接合剂的制备]

(1)接合剂1的制备

在如下构成的组成物中，添加10质量份的甲乙酮进行搅拌并混合，进行真空抽 气，得到接合剂1，所述组成物包含：作为环氧树脂的30重量份双酚F型环氧树脂(使 用环氧树脂当量160、东都化成有限公司制造的商品名YD-8170C)、10重量份的甲酚 酚醛清漆型环氧树脂(使用环氧树脂当量210、东都化成有限公司制造的商品名 YDCN-703)；作为环氧树脂的固化剂的27重量份的苯酚酚醛清漆树脂(使用大日本油 墨化学工业有限公司制造的商品名Plyophen LF2882)；28重量份的丙烯酸类共聚物 (使用基于凝胶渗透色谱的重量平均分子量70万，Tg为4℃Nagasechemtex有限公司 制造的商品名SG-708-6)；作为固化促进剂的0.1重量份的咪唑类固化促进剂(使用 四国化成工业有限公司制造的CUREZOL 2PZ-CN)；132重量份的二氧化硅填料(使用 Admafine有限公司制，S0-C2(比重：2.2g/cm³))；以及0.25重量份的作为硅烷偶联 剂，(使用日本Unicar有限公司制造的商品名A-189)。

利用B型粘度计(东机产业TVB-10)来测定所得到的接合剂漆的粘度，其结果是， 5℃下的粘度为5.0Pas，25℃下的粘度为4.5Pas。

(2)接合剂2的制备

除了添加50质量份的甲乙酮以外，与接合剂1同样地得到接合剂2。测定所得 到的接合剂漆的粘度，其结果是，5℃下的粘度为1.0Pas，25℃下的粘度为0.05Pas。

(3)接合剂3的制备

除了添加60质量份的甲乙酮以外，与接合剂1同样地得到接合剂3。测定所得 到的接合剂漆的粘度，其结果是，5℃下的粘度为0.04Pas。

(4)接合剂4的制备

除了添加8.0质量份的甲乙酮以外，与接合剂1同样地得到接合剂4。测定所得 到的接合剂漆的粘度，其结果是，5℃下的粘度为6.0Pas。

(5)接合剂5的制备

除了5质量份的添加甲乙酮以外，与接合剂1同样地得到接合剂5。测定所得到 的接合剂漆的粘度，其结果是，5℃下的粘度为11.0Pas。

(6)接合剂6的制备

除了添加80质量份的甲乙酮以外，与接合剂1同样地得到接合剂5。测定所得 到的接合剂漆的粘度，其结果是，5℃下的粘度为0.01Pas。

[样本的制造]

(1)实施例1

在作为支撑用膜的PET膜(厚度25μm)上，利用卷对卷型的单片式丝网印刷法， 以直径φ320mm、干燥后的印刷厚度20μm、间距60mm的方式印刷接合剂1，形成接 合剂层。

关于印刷工序的温度等，将印刷部的气氛控制为5℃、40％RH，使温湿度控制部 的溶剂的蒸气压为30mmHg左右。

在利用印刷工序形成接合剂层后，在干燥炉中，进行在150℃的温度下干燥1分 钟左右的干燥工序。

然后，进行以线压2MPa贴合另外制造的粘合胶带1的贴合工序，制造出半导体 晶片加工用胶带。

(2)实施例2

除了使用接合剂2替代接合剂1以外，与实施例1同样地制造半导体晶片加工用 胶带。

(3)实施例3

除了使用粘合胶带2替代粘合胶带1以外，与实施例1同样地制造半导体晶片加 工用胶带。

(4)实施例4

除了使用粘合胶带2替代粘合胶带1以外，与实施例2同样地制造半导体晶片加 工用胶带。

(5)比较例5

除了使用接合剂3替代接合剂1以外，与实施例1同样地制造半导体晶片加工用 胶带。

(6)实施例6

除了使用接合剂4替代接合剂1以外，与实施例1同样地制造半导体晶片加工用 胶带。

(7)实施例7

除了将印刷工序的温度设为室温(25℃)以外，与实施例1同样地制造半导体晶片 加工用胶带。

(8)实施例8

除了将印刷工序的温度设为室温(25℃)以外，与实施例2同样地制造半导体晶片 加工用胶带。

(9)实施例9

在作为支撑用膜的PET膜(厚度25μm)上，利用凹版印刷法，以直径φ320mm、干 燥后的印刷厚度5μm、间距40mm的方式印刷接合剂2，形成接合剂层。

关于印刷工序的温度等，将印刷部环境调整为5℃、40％RH，使溶剂的蒸气压为 30mmHg左右。

在利用印刷工序形成接合剂层后，在干燥炉中，进行在150℃的温度下干燥1分 钟左右的干燥工序。

然后，进行以线压2MPa贴合另外制造的粘合胶带2的贴合工序，制造出半导体 晶片加工用胶带。

(10)实施例10

除了使用接合剂1替代接合剂2以外，与实施例9同样地制造半导体晶片加工用 胶带。

(11)比较例11

除了使用接合剂5替代接合剂2以外，与实施例9同样地制造半导体晶片加工用 胶带。

(12)实施例12

除了使用接合剂6替代接合剂2以外，与实施例9同样地制造半导体晶片加工用 胶带。

[样本(接合剂层)的评价]

(1)断裂强度、断裂伸长率

针对宽度10mm、长度30mm、厚度20μm的试样，使用拉伸试验机(今田制作所制 数字荷重计SV55)，以卡盘间距离20mm、拉伸速度0.5m/分钟来测定应力、应变曲线， 由此，通过下式得到B阶段状态的接合剂层的25℃的断裂强度、断裂伸长率。

断裂强度(Pa)＝最大强度(N)/试样的截面积(m²)

断裂伸长率(％)＝(断裂时的试样的卡盘间长度(mm)-20)/20×100

(2)弹性模量(储能模量)

使用动态粘弹性装置(Rheology公司制，DVE-V4)测定B阶段状态的接合剂层的 储能模量(刮痕：长度20mm、宽度4mm、膜厚75μm、温度范围-30～100℃、升温速度 5℃/分钟、拉伸模式、10Hz或900Hz、自动静荷重)。

(3)接合剂层的截面形状

利用切片机或剃刀刀具，对印刷部进行截面切割，利用日立High-Technologies 制造的显微镜(TM-1000)，对该截面进行截面观察，测量出厚度、尺寸或形状等。

(4)评价结果

(4.1)实施例1

对于实施例1的样本，利用丝网印刷，形成接合剂层1。

测定干燥工序后(贴合工序前)的接合剂层1的断裂强度、断裂伸长率，其结果是， 断裂强度为5.0MPa，断裂伸长率为15％。

干燥工序后(贴合工序前)的接合剂层的弹性模量在25℃/10Hz下为2500MPa，在 25℃/900Hz下为8000MPa。

切割(纵切)干燥工序后(贴合工序前)的接合剂层1，对外周部的截面进行显微镜 观察，结果发现外周侧缘部平缓地倾斜。具体而言，相对于俯视接合剂层1时的情况 下的目标印刷直径320mm，实际的印刷直径为321mm。

(4.2)实施例9

对于实施例9的样本，利用凹版印刷，形成接合剂层9。

测定干燥工序后(贴合工序前)的接合剂层9的断裂强度、断裂伸长率，其结果是， 断裂强度为3MPa，断裂伸长率为15％。

干燥工序后(贴合工序前)的接合剂层9的弹性模量在25℃/10Hz下为2500MPa， 在25℃/900Hz下为8000MPa。

切割(纵切)干燥工序后(贴合工序前)的接合剂层9，对外周部的截面进行显微镜 观察，结果发现外周侧缘部平缓地倾斜。具体而言，相对于俯视接合剂层9时的情况 下的目标印刷直径320mm，实际的印刷直径为321mm。

(4.3)其它

将包含上述实施例1、9的样本的接合剂层的制造条件或特性(评价结果)等示于 表1中。

此外，在表1中，关于“厚度精度”的评价，对于利用丝网印刷形成接合剂层的 实施例1～4、6～8、比较例5的样本，将其接合剂层的厚度设计为20μm，在利用凹 版印刷形成接合剂层的实施例9～10、12、比较例11的样本中，将其接合剂层的厚 度设计为5μm，在实际的接合剂层的厚度相对于其设计值(目标值)收敛在±1.5μm 的范围以内的情况下，评价为“○(良好)”，在该范围外的情况下，记载为“-”。

[表1]

[总结]

在利用丝网印刷形成接合剂层的实施例1～4、6～8的样本中，能够利用简易的 工序得到良好的半导体晶片加工用胶带。

尤其是，在实施例1～4中，由于接合剂的粘度为0.05Pas以上且5Pas以下、印 刷工序的温度为10℃以下，因此，几乎看不到丝网版的堵塞导致的缺点数，确认为 印刷成品率提高。

此外，在实施例1～4、6～8中，接合剂层的厚度能够在固体层中抑制在±1.5μm 的范围内。

此外，在实施例1～4、6～8中，相对于现有工艺(由涂布机进行的涂覆)，接合 剂使用量大幅下降约50％。

在实施例6中，接合剂的粘度超过5Pas，但能够实施印刷。在实施例6中，在 剖视接合剂层的外周部时，呈略微凸部形状(在从外周端起1mm左右的范围内，相对 于与晶片相接触的厚度为20％左右)。在实施例6中，外周部附近因存在厚度不均而 尽可能避免对半导体芯片的贴合，关于从外周起1mm左右内侧的部分，可判断为厚度 精度在目标值±1.5μm以内而为良好，能够作为半导体芯片的接合剂层灵活运用。

相对于这些样本，在比较例5中，接合剂的粘度小于0.05Pas，因此，在印刷形 状的周缘部时，显著地产生越靠近侧方则厚度越小的形状塌边，并且，在向丝网版载 置接合剂时，产生液体塌边，因此难以实施良好的印刷(判断为没有进行丝网印刷)。

另一方面，关于利用凹版印刷形成接合剂层的实施例9～10、12的样本，全部样 本能够得到良好的接合剂层的印刷。

在实施例9～10、12中，与丝网印刷同样地，相对于现有工艺(由涂布机进行的 涂覆)，接合剂使用量大幅下降约50％。

相对于这些样本，在比较例11中，接合剂的粘度大至11Pas，在印刷面可见擦 痕，不能进行良好的印刷(判断为没有进行凹版印刷)。

实施例2

[样本的制造]

(1)实施例13～17

与制造实施例1的样本同样地，在作为支撑用膜的PET膜上，利用卷对卷型的单 片式丝网印刷法来印刷接合剂，形成接合剂层。

在该印刷工序中，如表2所示，以按每一样本改变接合剂的粘度和干燥后的印刷 厚度(设计厚度)的方式设定制造条件。接合剂与接合剂1的成分相同，仅调整甲乙酮 的混配量，来控制粘度。

然后，与制造实施例1的样本同样地，执行干燥工序、贴合工序的各处理，制造 出半导体晶片加工用胶带。

(2)实施例18～19

与制造实施例9的样本同样地，在作为支撑用膜的PET膜上，利用凹版印刷法印 刷接合剂，形成接合剂层。

在该印刷工序，也按表2所示那样，以按每一样本改变接合剂的粘度和干燥后的 印刷厚度(设计厚度)的方式设定制造条件。接合剂与接合剂2的成分相同，仅调整甲 乙酮的混配量，来控制粘度。

然后，与制造实施例9的样本同样地，执行干燥工序、贴合工序的各处理，制造 出半导体晶片加工用胶带。

(3)比较例20～22

使用与实施例1的样本相同的材料，形成接合剂层。

具体而言，在作为支撑用膜的PET膜(厚度25μm)的一个前表面上，利用涂布机 涂布接合剂，暂且形成接合剂层，然后，将该接合剂层预切割为直径φ320mm、间距 60mm。

在该工序中，也如表2所示那样，以按每一样本改变接合剂的粘度和干燥后的印 刷厚度(设计厚度)的方式设定制造条件。接合剂与接合剂1的成分相同，仅调整甲乙 酮的混配量，来控制粘度。

然后，与制造实施例1的样本同样地，执行干燥工序、贴合工序的各处理，制造 出半导体晶片加工用胶带。

[样本(接合剂层)的评价]

利用切片机或剃刀刀具，对实施例13～17、18～19、比较例20～22的样本进行 截面切割，利用日立High-Technologies制造的显微镜(TM-1000)对该接合剂层的倾 斜部进行截面观察，计测厚度和形状等。

此处，在进行截面观察时，如图11所示，关于剖视接合层12的外周部时的接合 剂层12的倾斜部12a，设倾斜部12a的厚度(垂直方向的距离)为“t”、倾斜部12a 的水平方向的距离为“ΔR”，测定各距离，设表示接合剂层的倾斜部的形状的参数为 “ΔR/t”，计算出该参数。

将倾斜部12a的厚度t以及水平方向的距离ΔR的各测定值和形状参数ΔR/t的 计算值示于表2中。

[表2]

[总结]

在利用丝网印刷或凹版印刷形成接合剂层的实施例13～17、18～19的样本和对 接合剂层进行涂布/预切割而形成的比较例20～22的样本中，在对各样本的接合剂层 的倾斜部进行截面观察时，根据其比较结果，对于实施例13～17、18～19的样本， 在接合剂层的厚度t为2～150μm的范围内，形状参数ΔR/t的数值范围大致满足下 式(1)的条件。

0.4≤ΔR/t≤100…(1)

可见，在该实施例13～17、18～19的样本中，认为接合剂层与粘合剂层的密合 性良好，大幅抑制了空隙的产生，满足式(1)的条件而是有用的。

相对于这些样本，在比较例20～22的样本中，不满足式(1)的条件，接合剂层与 粘合剂层的密合性劣于实施例13～17、18～19的样本。

此外，在实施例13～17、18～19的样本中，在支撑用膜中没有割伤(参照图10)， 因此，不会在切割刀具导致的切入部分残存膜尘等异物，实现了产品质量的提高。

产业上的可利用性

本发明是对支撑用膜形成接合剂层的半导体晶片加工用胶带的制造方法，特别适 当应用于实现接合剂层的接合剂使用量的节约、制造工序的简化(尤其是接合剂层的 切割工时的削减)和产品质量的提高。

符号说明

10 半导体晶片加工用胶带

11 支撑用膜(第1树脂膜)

12 接合剂层

12a 倾斜部

12b 凸部

13 粘合剂层

14 基材膜(第2树脂膜)

15 切割胶带

16 覆盖膜