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RB-SiC基底反射镜表面改性层的制备方法

摘要

本发明提供一种RB-SiC基底反射镜表面改性层的制备方法,属于薄膜沉积技术领域。本发明包括以下步骤:一、镀膜条件准备:将Si靶材安装在镀膜机孪生溅射阴极上,将RB-SiC基底进行表面清洗处理后,固定在镀膜机工件夹具上,将镀膜机抽真空,对RB-SiC基底进行烘烤;二、溅射阴极Si靶材表面处理:溅射阴极通入Ar气,调节中频电源功率对Si靶材表面进行预溅射处理;三、制备Si改性层:增加中频电源功率和Ar气通气量,采用中频磁控溅射技术在RB-SiC基底上沉积Si改性层。本发明制备过程大大简化,膜层致密度高,膜质均匀,显著改善了其抛光特性,使抛光后基底表面的光学质量得到较大提升。

著录项

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-05-10

    发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C23C14/35 申请公布日:20150325 申请日:20141229

    发明专利申请公布后的视为撤回

  • 2015-04-22

    实质审查的生效 IPC(主分类):C23C14/35 申请日:20141229

    实质审查的生效

  • 2015-03-25

    公开

    公开

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