高功率氮化铝陶瓷基板100瓦11dB衰减片

摘要

本发明公开了一种高功率氮化铝陶瓷基板100瓦11dB衰减片，其包括一宽度为5.7mm、长度为8.9mm、厚度为1mm的氮化铝陶瓷基板，所述氮化铝陶瓷基板的背面印刷有银浆背导层，所述氮化铝陶瓷基板的正面印刷有银浆导线及5个黑色电阻，所述银浆导线连接所述电阻形成TT型衰减电路，所述5个黑色电阻上均一一对应印刷有5个玻璃保护膜，所述5个玻璃保护膜及导线上印刷有两层保护膜。所述银浆背导层、银浆导线、5个黑色电阻、玻璃保护膜、两层保护膜全部采用高精度厚膜印刷技术。该衰减片在设计思路上优化了输入端的电路结构，改善了输入端的驻波，同时通过电阻值的精确修改，得到高精度的衰减值。该高功率氮化铝陶瓷基板100瓦11dB衰减片，各项指标优良，满足了目前4G网络的使用要求。