氮化铝陶瓷基板制备工艺的研究

摘要

cqvip:本文研究了不同烧结助剂添加量,以及烧结温度对氮化铝陶瓷结构及性能的影响。通过对不同制备工艺条件进行研究,优选出当烧结助剂为1.5%,烧结温度为1750~1800℃时,氮化铝陶瓷具有最好的综合性能。前言:氮化铝(AlN)陶瓷作为一种导热率高,热膨胀系数与硅半导体接近的材料,具备良好的绝缘和机械性能,在高频通信、LED照明、新能源汽车、高铁、风能和光伏发电等新兴领域的商业化应用逐渐普及。