首页> 中国专利> 基于异质结构吸收、倍增层分离GaN基雪崩光电探测器

基于异质结构吸收、倍增层分离GaN基雪崩光电探测器

页面导航

摘要

本发明涉及一种光电探测器，尤其涉及一种基于异质结构吸收、倍增层分离GaN基雪崩光电探测器，包括依次层叠的衬底、缓冲层、n型掺杂Al

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2015-12-16

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L31/107 申请公布日:20121212 申请日:20120911

发明专利申请公布后的视为撤回
2013-01-30

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L31/107 申请日:20120911

实质审查的生效
2012-12-12

公开

公开

1. 基于异质结构吸收、倍增层分离GaN基雪崩光电探测器 [P] . 中国专利： CN102820367A . 2012-12-12
2. 一种基于异质结构的吸收、倍增层分离的紫外雪崩光电探测器 [P] . 中国专利： CN102593234A . 2012-07-18
3. ALGAN OR GAN ULTRAVIOLET AVALANCHE PHOTODETECTOR BASED ON FIELD PLATE STRUCTURE, AND PREPARATION METHOD THEREFOR [P] . 世界知识产权组织专利： WO2020011201A1 . 2020-01-16

机译：基于场板结构的Algan或gan紫外雪崩光电探测器及其制备方法
4. AgAu GaN UV Substrate for photodetector comprising AgAu alloy nanoparticles and UV photodetector based on GaN using the same [P] . KR20210136452A . 2021-11-17

机译： Agau GaN UV基板用于光电探测器，包括Agau合金纳米颗粒和UV光电探测器的基于GaN使用相同
5. Avalanche photodiode including a multiplication layer and a photoabsorption layer [P] . 美国专利： US5338947A . 1994-08-16

机译：雪崩光电二极管，包括倍增层和光吸收层