硅传感器压力芯片及其自停止腐蚀工艺

摘要

本发明涉及一种硅传感器压力芯片及其自停止腐蚀工艺，包括硼硅玻璃基底、P型衬底、氧化层、压敏电阻、扩散电阻及氮化硅保护膜，所述P型衬底中设有腐蚀腔，其特征在于在所述P型衬底上生成有N型外延层，所述氧化层、压敏电阻、扩散电阻及氮化硅保护膜生成于所述N型外延层上。在本发明中，P型衬底生成有N型外延层，扩散电阻、压敏电阻及氮化硅保护膜生成于N型外延层上，当腐蚀液腐蚀到N型外延层时，腐蚀自动停止，这样可通过减小N型外延层的厚度来减小传感器压力芯片的膜片的厚度，从而大大的提高传感器压力芯片的灵敏度；另外，有轻掺杂的N型覆盖层覆盖在压敏电阻上，作为重掺杂层的保护层，增强传感器压力芯片的稳定性。