多晶硅TFT、多晶硅阵列基板及其制备方法、显示装置

摘要

本发明公开了一种多晶硅TFT、多晶硅阵列基板及其制备方法、显示装置，属于液晶显示领域，为解决现有技术中掩膜版数量过多，工艺复杂且成本过高的问题而设计。一种多晶硅TFT的制备方法，所述多晶硅TFT包括掺杂区域，包括如下步骤：在基板上形成多晶硅层，采用构图工艺形成有源层；形成第一绝缘层；采用构图工艺形成露出有源层的过孔，源电极和漏电极通过所述过孔与有源层连接；采用掺杂工艺通过所述过孔对所述有源层进行掺杂，形成掺杂区域；形成源漏金属层，采用构图工艺形成源电极和漏电极。