外延晶片、光接收元件、光学传感器装置及用于制造外延晶片和光接收元件的方法

摘要

本发明提供一种包含含锑层，能够以减少导致良率大幅下降的凸状表面缺陷而被有效率地生产，并且能够抑制导致性能降低的杂质污染的外延晶片、光电二极管等。该生产方法特征在于其包括全金属有机气相沉积方法在衬底（1）上生长含锑层（Sb）的步骤；以及在含锑层上生长包括窗口层的无锑层，并且，从含锑层的生长到窗口层的生长结束，在425℃或更大且525℃或更小的生长温度下完成生长。