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高感度の近赤外受光素子用エピウエハ

机译:Epi晶片,用于高灵敏度近红外光接收元件

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摘要

波長1.0~2.5μm帯の近赤外領域に感度を有する受光素子は医療分野、食品分野での非破壊検査への応用が期待されている。受光素子の低暗電流化とカットオフ波長の2.5μm帯までの長波長化の両立が可能な、InGaAs/GaAsSbタイプII量子井戸構造の作製に成功した。量産性に優れた有機金属気相成長(OMVPE)法を用いて、InP窓層を有する受光素子を作製することで、従来の分子線エピタキシー(MBE)法と比較して1桁以上低い暗電流を実現した。受光素子の高感度化に向けて、エビ成長条件の最適化を行い、高い結晶品質を維持したまま量子井戸受光層の更なる多周期化が可能となった。この結果、近赤外領域における外部量子効率は最大48%とMBE 法により作製された受光素子よりも高い値を実現した。これまでにない、低暗電流、高感度の受光素子を実現したことで、検査装置の更なる高性能化を可能とし、従来の検査装置よりも詳細な組成や濃度の分析が可能となる。
机译:期望将具有在1.0至2.5μm的波长的近红外区域中的灵敏度的光接收元件应用于医学和食品领域的无损检查。我们已经成功地生产了一种InGaAs / GaAsSb II型量子阱结构,该结构既可以实现光接收元件的低暗电流又可以实现高达2.5μm波段的长截止波长。通过使用具有优异的批量生产能力的有机金属气相生长(OMVPE)方法来制造具有InP窗口层的光接收元件,其暗电流比常规分子束外延(MBE)方法要低一个数量级。被实现。优化虾的生长条件以增加光接收元件的灵敏度,并且有可能在保持高晶体质量的同时进一步增加量子阱光接收层的周期。结果,在近红外区域中的外部量子效率高达48%,高于通过MBE方法制造的光接收元件的效率。通过实现前所未有的低暗电流和高灵敏度的光接收元件,与常规检查装置相比,可以进一步提高检查装置的性能并更详细地分析成分和浓度。

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