Al{sub}0.5Ga{sub}0.5Nショットキー型紫外線受光素子の作製と受光感度特性

摘要

サファイア上のエピタキシヤルAlN基板を用いて、減圧MOVPE法によりAl{sub}(0.5)Ga{sub}(0.5)Nショットキー型紫外線受光素子を作製し、その電気的、光学的特性の評価を行った。Al{sub}(0.5)Ga{sub}(0.5)Nのバンドギャップに相当する260 nm(4.7eV)での立ち上がりがみられた。 ArFに対応する波長193 nmでの単位面積当たりの受光感度は、GaN受光素子の16倍と真空紫外領域に高い受光感度があることが確認された。 またi-AlGaN層を挿入することにより、暗電流が3桁低減し、受光感度は向上した。 以上のことから、高Al組成Al{sub}(0.5)Ga{sub}(0.5)Nショットキー型紫外線受光素子は真空紫外領域での受光に有用である。