微晶硅薄膜探测器制备方法及其应用

摘要

一种微晶硅薄膜探测器的制备方法及其应用，包括以下步骤：在玻璃基板上沉积第一金属层，刻蚀以形成TFT栅极；沉积第一绝缘层；依次继续沉积本征微晶硅薄膜和n掺杂微晶硅薄膜，然后刻蚀以形成TFT有源区；继续沉积第二金属层，刻蚀以形成TFT源极和TFT漏极；继续沉积第二绝缘层，刻蚀以形成覆盖TFT的第二绝缘层；继续依次在TFT漏极上沉积n掺杂非晶硅薄膜、本征非晶硅薄膜、p掺杂非晶硅薄膜以及透明导电层ITO薄膜；然后刻蚀以形成光电二极管；继续沉积第三绝缘层以覆盖第二绝缘层和上述光电二极管；刻蚀形成开孔；然后沉积第三金属层，刻蚀以形成电极。本发明将微晶硅薄膜应用于薄膜探测器，利用微晶硅薄膜较高的载流子迁移率，提高开口率和成像速度。