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用于在相同芯片上形成具有多个掺杂的鳍片场效晶体管的方法及结构

摘要

一种用于制造集成电路的特征的方法包括:在半导体器件的表面上构图第一半导体结构,以及在所述第一半导体结构的相对侧上外延生长半导体材料以形成鳍片。将第一倾斜离子注入施加于所述第一半导体结构的一侧以掺杂所述一侧上的各鳍片。选择性地去除所述第一半导体结构以暴露所述鳍片。使用所述鳍片形成鳍片场效晶体管。

著录项

  • 公开/公告号CN102640273A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-08-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 国际商业机器公司;

    申请/专利号CN201080054317.3

  • 发明设计人 Y·张;程慷果;B·多里斯;

    申请日2010-10-28

  • 分类号H01L21/336(20060101);

  • 代理机构11247 北京市中咨律师事务所;

  • 代理人于静;张亚非

  • 地址 美国纽约

  • 入库时间 2023-12-18 06:20:22

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-11-14

    专利权的转移 IPC(主分类):H01L21/336 登记生效日:20171025 变更前: 变更后: 申请日:20101028

    专利申请权、专利权的转移

  • 2015-02-11

    授权

    授权

  • 2012-10-03

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/336 申请日:20101028

    实质审查的生效

  • 2012-08-15

    公开

    公开

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