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一种厚膜混合集成电路孔金属化制造工艺

摘要

本发明涉及一种厚膜混合集成电路孔金属化制造工艺,在开孔的氧化铝基片上通过印刷机在其上表面印刷电路导线图案的导体浆料,然后用真空泵将表面的导体浆料抽取进入开孔内,再用红外线干燥炉进行烘干处理,最后将氧化铝基片置于烧结炉中进行烧结处理,重复上述步骤,在氧化铝基片的下表面印刷电路导线图案的导体浆料,经抽取、干燥、烧结处理,两个表面的导体浆料通过开孔重合,使上下表面的导体浆料连通。与现有技术相比,本发明得到产品的通孔导通率保持在99.9%以上,从而保证了整个厚膜电路技术水平和质量水平的提高。

著录项

  • 公开/公告号CN102637627A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-08-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海旌纬微电子科技有限公司;

    申请/专利号CN201110035187.5

  • 发明设计人 顾伟民;吴荧;黄剑龙;

    申请日2011-02-09

  • 分类号H01L21/768;

  • 代理机构上海科盛知识产权代理有限公司;

  • 代理人林君如

  • 地址 201616 上海市松江区科技园区崇南路6号A区97号厂房

  • 入库时间 2023-12-18 06:16:08

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2015-05-13

    发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L21/768 申请公布日:20120815 申请日:20110209

    发明专利申请公布后的驳回

  • 2012-12-19

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/768 申请日:20110209

    实质审查的生效

  • 2012-08-15

    公开

    公开

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