法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2015-09-16
发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L29/739 申请公布日:20120718 申请日:20110801
发明专利申请公布后的视为撤回
2012-10-17
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/739 申请日:20110801
实质审查的生效
2012-07-18
公开
公开
机译: 一种具有高介电常数栅氧化膜形成方法,边界层还原法,高介电常数栅绝缘膜,高介电常数栅绝缘膜和高k栅氧化膜的晶体管,
机译: 利用双栅全耗尽型绝缘子上硅晶体管的功率门控电路
机译: 利用双栅全耗尽型绝缘子上硅晶体管的功率门控电路