公开/公告号CN102586862A
专利类型发明专利
公开/公告日2012-07-18
原文格式PDF
申请/专利权人 天津市环欧半导体材料技术有限公司;
申请/专利号CN201210059757.9
申请日2012-03-08
分类号C30B15/00(20060101);C30B15/04(20060101);C30B15/20(20060101);C30B29/06(20060101);
代理机构12105 天津中环专利商标代理有限公司;
代理人莫琪
地址 300384 天津市西青区华苑产业园区环外海泰东路12号
入库时间 2023-12-18 06:08:38
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-06-07
专利权的转移 IPC(主分类):C30B15/00 登记生效日:20190520 变更前: 变更后: 申请日:20120308
专利申请权、专利权的转移
2018-11-20
专利权的转移 IPC(主分类):C30B15/00 登记生效日:20181101 变更前: 变更后: 申请日:20120308
专利申请权、专利权的转移
2014-07-30
授权
授权
2012-09-19
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B15/00 申请日:20120308
实质审查的生效
2012-07-18
公开
公开
机译: 用于硅半导体的低氧浓缩硅单晶的制造涉及通过水平磁场型直拉法对原料硅进行硅单晶拉伸
机译: 直拉硅单晶拉丝,其中极限拉丝速度提高以提高效率
机译: 应用磁场直拉法的硅单晶制造方法